| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 电致发光概论 | 第11-16页 |
| 1.2.1 电致发光现象 | 第11页 |
| 1.2.2 电致发光机理 | 第11-13页 |
| 1.2.3 电致发光材料 | 第13-15页 |
| 1.2.4 电致发光器件 | 第15-16页 |
| 1.3 聚合物电致发光二极管(PLED)概述 | 第16-18页 |
| 1.3.1 PLED 发展历程和现状 | 第16-17页 |
| 1.3.2 PLED 存在的问题和发展方向 | 第17-18页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 PLED 实验技术简介 | 第20-32页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 PLED 器件结构及各功能材料 | 第20-24页 |
| 2.2.1 PLED 器件结构 | 第20-22页 |
| 2.2.2 功能材料介绍 | 第22-24页 |
| 2.3 PLED 器件的制备工艺 | 第24-26页 |
| 2.4 PLED 器件性能的表征参数 | 第26-28页 |
| 2.4.1 发光性能 | 第26-27页 |
| 2.4.2 电学性能 | 第27-28页 |
| 2.5 电致发光二极管电极调控及修饰方法 | 第28-30页 |
| 2.5.1 电学调控 | 第28-29页 |
| 2.5.2 光学调控 | 第29-30页 |
| 2.6 本论文相关实验技术及设备 | 第30-32页 |
| 第三章 基于氧化石墨稀的 PLED | 第32-42页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 GO 制备方法及 PLED 器件结构设计 | 第33-34页 |
| 3.2.1 GO 的制备 | 第33页 |
| 3.2.2 PLED 器件设计及制备方法 | 第33-34页 |
| 3.3 紫外臭氧(UVO)处理对器件性能的影响 | 第34-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于 Au 颗粒修饰氧化石墨烯的 PLED | 第42-51页 |
| 4.1 引言 | 第42-44页 |
| 4.2 基于溶液法制备 Au 颗粒修饰氧化石墨烯的 PLED 器件性能 | 第44-48页 |
| 4.2.1 器件结构及制备 | 第44-46页 |
| 4.2.2 器件的性能 | 第46-48页 |
| 4.3 基于溅射法制备 Au 颗粒修饰氧化石墨烯的 PLED 器件性能 | 第48-50页 |
| 4.3.1 器件的制备 | 第48-49页 |
| 4.3.2 器件性能 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 光提取：纳米压印光栅调控器件电极界面 | 第51-61页 |
| 5.1 引言 | 第51-53页 |
| 5.2 纳米压印刻蚀技术制备纳米光栅 | 第53-56页 |
| 5.2.1 PDMS 光栅模板的制备 | 第53页 |
| 5.2.2 PLED 器件中压印纳米光栅 | 第53-56页 |
| 5.3 基于光栅结构的 PLED 器件的性能及相关表征 | 第56-60页 |
| 5.3.1 器件测试结果及相关分析 | 第56-59页 |
| 5.3.2 理论模拟 | 第59-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 全文总结及展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
