高稳定性、低电压有机薄膜晶体管研究
| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 有机薄膜晶体管概述 | 第10-11页 |
| 1.2 有机薄膜晶体管的基本概念 | 第11-15页 |
| 1.2.1 有机薄膜晶体管的基本结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 有机薄膜晶体管的工作原理 | 第12-13页 |
| 1.2.3 有机薄膜晶体管的基本参数 | 第13-15页 |
| 1.3 有机薄膜晶体管的制备方法 | 第15-16页 |
| 1.3.1 溶液法制备有机薄膜晶体管 | 第15页 |
| 1.3.2 热蒸镀制备有机薄膜晶体管 | 第15-16页 |
| 1.4 有机薄膜晶体管的应用前景 | 第16页 |
| 1.5 本论文的研究意义和主要工作 | 第16-18页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第16-17页 |
| 1.5.2 主要工作 | 第17-18页 |
| 第2章 实验设备与实验材料 | 第18-28页 |
| 2.1 实验设备介绍 | 第18-22页 |
| 2.1.1 真空蒸镀仪 | 第18-19页 |
| 2.1.2 低温探针台 | 第19页 |
| 2.1.3 半导体特性分析仪 | 第19-20页 |
| 2.1.4 原子力显微镜 | 第20-21页 |
| 2.1.5 X 射线光电子能谱仪 | 第21页 |
| 2.1.6 固定角光谱椭偏仪 | 第21-22页 |
| 2.2 实验材料介绍 | 第22-23页 |
| 2.2.1 实验中用到的半导体材料 | 第22-23页 |
| 2.2.2 实验中用到的金属材料 | 第23页 |
| 2.2.3 实验中用到的界面修饰材料 | 第23页 |
| 2.3 有机薄膜晶体管的制备流程 | 第23-25页 |
| 2.3.1 硅片的切割与清洗 | 第23-24页 |
| 2.3.2 低电压器件中氧化铝薄膜的制备 | 第24页 |
| 2.3.3 聚苯乙烯修饰层的制备 | 第24页 |
| 2.3.4 有机薄膜和金属电极的制备 | 第24-25页 |
| 2.4 有机薄膜晶体管电学性能的测量 | 第25-27页 |
| 2.5 本章总结 | 第27-28页 |
| 第3章 有机薄膜晶体管的低电压工作研究 | 第28-40页 |
| 3.1 研究背景 | 第28-31页 |
| 3.2 氧化铝薄膜的制备及表征 | 第31-33页 |
| 3.3 器件的制备及电学性能测量 | 第33-39页 |
| 3.3.1 器件结构以及有机半导体层的表征 | 第33-35页 |
| 3.3.2 氧化铝电学性质的表征 | 第35-36页 |
| 3.3.3 硅衬底低电压有机薄膜晶体管电学性能 | 第36-38页 |
| 3.3.4 PET 柔性衬底薄膜晶体管的电学性能 | 第38-39页 |
| 3.4 本章总结 | 第39-40页 |
| 第4章 有机薄膜晶体管的阈值电压研究 | 第40-48页 |
| 4.1 研究背景及研究意义 | 第40-41页 |
| 4.2 器件制备 | 第41-42页 |
| 4.3 器件的电学性能测试 | 第42-46页 |
| 4.3.1 温度对阈值电压的影响 | 第42-45页 |
| 4.3.2 温度对载流子迁移率的影响 | 第45-46页 |
| 4.4 实验现象的物理机制解释 | 第46-47页 |
| 4.5 本章总结 | 第47-48页 |
| 第5章 有机薄膜晶体管的工作稳定性研究 | 第48-65页 |
| 5.1 研究背景及研究意义 | 第48-49页 |
| 5.2 载流子迁移率提高途径 | 第49-51页 |
| 5.3 器件工作不稳定的来源 | 第51-57页 |
| 5.4 C60有机薄膜晶体管工作稳定性研究 | 第57-62页 |
| 5.4.1 器件制备 | 第57-59页 |
| 5.4.2 电学性能测量 | 第59-60页 |
| 5.4.3 实验结果讨论 | 第60-62页 |
| 5.5 低电压器件工作稳定性研究 | 第62-64页 |
| 5.6 本章总结 | 第64-65页 |
| 第6章 结论与总结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
