| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-32页 |
| 1.1 硅纳米材料概述 | 第9-10页 |
| 1.2 硅纳米线的性质 | 第10-13页 |
| 1.2.1 硅纳米线的电学性能 | 第10-11页 |
| 1.2.2 硅纳米线的光学性能 | 第11-13页 |
| 1.2.3 硅纳米线的热力学性能 | 第13页 |
| 1.3 硅纳米线的制备 | 第13-21页 |
| 1.3.1 自下而上制备方法：化学气象沉积（CVD） | 第14-16页 |
| 1.3.2 自上而下制备方法 | 第16-21页 |
| 1.4 硅纳米线在太阳能电池中的应用现状 | 第21-24页 |
| 1.4.1 p-n 结太阳电池 | 第21-22页 |
| 1.4.2 肖特基结太阳能电池 | 第22-23页 |
| 1.4.3 电化学太阳电池 | 第23页 |
| 1.4.4 异质结太阳电池 | 第23-24页 |
| 1.5 本论文研究思路 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-32页 |
| 第二章 无模板法制备硅纳米线和纳米孔 | 第32-42页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 实验部分 | 第32-34页 |
| 2.2.1 实验材料及设备 | 第32-33页 |
| 2.2.2 实验步骤 | 第33-34页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第34-39页 |
| 2.3.1 金属薄膜在硅片上的热退火过程 | 第34-36页 |
| 2.3.2 利用退火金属制备硅纳米线和纳米孔 | 第36-38页 |
| 2.3.3 刻蚀过程中出现的其他形貌 | 第38-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 纳米球模板法制备高规整纳米线阵列及其表面修饰 | 第42-52页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 实验部分 | 第43-44页 |
| 3.2.1 实验材料及设备 | 第43页 |
| 3.2.2 实验步骤 | 第43-44页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第44-49页 |
| 3.3.1 RIE 反应时间对 PS 小球直径的影响 | 第44-46页 |
| 3.3.2 带孔金薄膜的制备 | 第46页 |
| 3.3.3 利用带孔金属薄膜制备硅纳米线阵列 | 第46-47页 |
| 3.3.4 硅纳米线阵列的光学性质 | 第47-48页 |
| 3.3.5 对硅纳米线的表面修饰 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 硅纳米线-PEDOT:PSS 杂化光伏电池 | 第52-69页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 实验部分 | 第53-56页 |
| 4.2.1 实验材料及设备 | 第53-54页 |
| 4.2.2 实验步骤 | 第54-56页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第56-65页 |
| 4.3.1 转速对杂化电池性能的影响 | 第56-57页 |
| 4.3.2 不同背部金属电极对器件性能的影响 | 第57页 |
| 4.3.3 钝化对硅纳米线-PEDOT:PSS 杂化电池性能的影响 | 第57-59页 |
| 4.3.4 PCl_5处理时间对器件性能的影响 | 第59-62页 |
| 4.3.5 器件暗电流的拟合和分析 | 第62-63页 |
| 4.3.6 对硅纳米线器件的光学模拟和电学绘制表征 | 第63-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-72页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
