| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-30页 |
| 1.1 钛硅分子筛的合成方法与应用领域 | 第9-20页 |
| 1.1.1 钛硅分子筛的结构特点 | 第9-11页 |
| 1.1.2 水热合成法 | 第11-17页 |
| 1.1.2.1 研究进展 | 第11-14页 |
| 1.1.2.2 晶化过程 | 第14-15页 |
| 1.1.2.3 模板剂的作用 | 第15-16页 |
| 1.1.2.4 金属离子杂质的影响 | 第16页 |
| 1.1.2.5 晶化条件的影响 | 第16-17页 |
| 1.1.3 同晶取代法 | 第17-18页 |
| 1.1.4 钛硅分子筛的应用 | 第18-20页 |
| 1.1.4.1 应用领域 | 第18-19页 |
| 1.1.4.2 环氧化反应机理 | 第19-20页 |
| 1.2 钛硅分子筛的物化性质与表征方法 | 第20-25页 |
| 1.2.1 钛硅分子筛的物化性质 | 第20-22页 |
| 1.2.1.1 钛硅分子筛中钛的存在状态 | 第20-21页 |
| 1.2.1.2 钛硅分子筛的酸性中心 | 第21页 |
| 1.2.1.3 钛硅分子筛的疏水性 | 第21页 |
| 1.2.1.4 钛硅分子筛的扩散性质 | 第21-22页 |
| 1.2.2 钛硅分子筛的表征方法 | 第22-25页 |
| 1.2.2.1 X-射线粉末衍射(XRD) | 第22-23页 |
| 1.2.2.2 X-射线光电子能谱(XPS) | 第23页 |
| 1.2.2.3 傅立叶变换红外光谱(FT-IR) | 第23-24页 |
| 1.2.2.4 紫外漫反射光谱(UV-Vis) | 第24页 |
| 1.2.2.5 拉曼光谱(Raman) | 第24页 |
| 1.2.2.6 扫描电子显微镜(SEM) | 第24-25页 |
| 1.2.2.7 NH_3 程序升温脱附(NH_3-TPD) | 第25页 |
| 1.2.2.8 热失重分析法(TGA) | 第25页 |
| 1.3 环氧丙烷研究现状及发展前景 | 第25-29页 |
| 1.3.1 环氧丙烷的物理性质 | 第25-26页 |
| 1.3.2 环氧丙烷的化学性质和用途 | 第26-27页 |
| 1.3.3 现有环氧丙烷生产技术 | 第27-29页 |
| 1.3.3.1 氯醇法 | 第27-28页 |
| 1.3.3.2 间接氧化法 | 第28页 |
| 1.3.3.3 钛硅分子筛催化法 | 第28-29页 |
| 1.4 研究内容 | 第29-30页 |
| 第二章 实验部分 | 第30-38页 |
| 2.1 实验试剂与仪器 | 第30-32页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第30-31页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第31页 |
| 2.1.3 四丙基氢氧化铵(TPAOH)的制备 | 第31-32页 |
| 2.2 钛硅分子筛的合成 | 第32-33页 |
| 2.3 催化剂的评价 | 第33-36页 |
| 2.3.1 实验设备 | 第33-34页 |
| 2.3.2 实验方法 | 第34-35页 |
| 2.3.3 分析方法 | 第35页 |
| 2.3.4 评价指标 | 第35-36页 |
| 2.4 催化剂的表征 | 第36-38页 |
| 2.4.1 X-射线粉末衍射(XRD) | 第36页 |
| 2.4.2 X-射线光电子能谱(XPS) | 第36-37页 |
| 2.4.3 傅立叶变换红外光谱(FT-IR) | 第37页 |
| 2.4.4 紫外漫反射光谱(UV-Vis) | 第37页 |
| 2.4.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第37页 |
| 2.4.6 热失重分析法(TGA) | 第37页 |
| 2.4.7 氮吸附测试 | 第37-38页 |
| 第三章 添加剂对TS-1 催化丙烯环氧化反应的影响 | 第38-47页 |
| 3.1 加A-1 对反应的影响 | 第38-39页 |
| 3.2 加Na_2C0_3 对反应的影响 | 第39-41页 |
| 3.3 加NaCl对反应的影响 | 第41-42页 |
| 3.4 加NH_4AC对反应的影响 | 第42-43页 |
| 3.5 加NaOH、NH_3·H_20、HCl对反应的影响 | 第43-44页 |
| 3.6 结果讨论 | 第44-47页 |
| 第四章 合成条件对TS-1 性能的影响 | 第47-93页 |
| 4.1 不同Si0_2/Ti0_2 比TS-1 的性能 | 第47-55页 |
| 4.1.1 X-射线衍射(XRD) | 第48-49页 |
| 4.1.2 X-射线光电子能谱(XPS) | 第49-50页 |
| 4.1.3 傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第50-51页 |
| 4.1.4 紫外漫反射光谱(UV-vis) | 第51页 |
| 4.1.5 热重分析(TGA) | 第51-52页 |
| 4.1.6 扫描电镜(SEM) | 第52-53页 |
| 4.1.7 反应活性评价 | 第53-54页 |
| 4.1.8 结果讨论 | 第54-55页 |
| 4.2 模板剂中加入C对TS-1 的影响 | 第55-67页 |
| 4.2.1 X-射线衍射(XRD) | 第56-57页 |
| 4.2.2 X-射线光电子能谱(XPS) | 第57-59页 |
| 4.2.3 傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第59-60页 |
| 4.2.4 紫外漫反射光谱(UV-vis) | 第60页 |
| 4.2.5 热重分析(TGA) | 第60-61页 |
| 4.2.6 扫描电镜(SEM) | 第61-62页 |
| 4.2.7 氮吸附测试(BET) | 第62-65页 |
| 4.2.8 反应活性评价 | 第65-66页 |
| 4.2.9 结果讨论 | 第66-67页 |
| 4.3 模板剂中加入Br-对TS-1 的影响 | 第67-74页 |
| 4.3.1 X-射线衍射(XRD) | 第68页 |
| 4.3.2 X-射线光电子能谱(XPS) | 第68-70页 |
| 4.3.3 傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第70页 |
| 4.3.4 紫外漫反射光谱(UV-vis) | 第70-71页 |
| 4.3.5 热重分析(TGA) | 第71-72页 |
| 4.3.6 扫描电镜(SEM) | 第72-73页 |
| 4.3.7 反应活性评价 | 第73-74页 |
| 4.3.8 结果讨论 | 第74页 |
| 4.4 TPAOH/Si0_2 比对TS-1 的影响 | 第74-81页 |
| 4.4.1 X-射线衍射(XRD) | 第75页 |
| 4.4.2 X-射线光电子能谱(XPS) | 第75-77页 |
| 4.4.3 傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第77页 |
| 4.4.4 紫外漫反射光谱(UV-vis) | 第77-78页 |
| 4.4.5 热重分析(TGA) | 第78-79页 |
| 4.4.6 扫描电镜(SEM) | 第79-80页 |
| 4.4.7 反应活性评价 | 第80页 |
| 4.4.8 结果讨论 | 第80-81页 |
| 4.5 模板剂中同时加入C、Br-对TS-1 的影响 | 第81-85页 |
| 4.5.1 傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第82-83页 |
| 4.5.2 紫外漫反射光谱(UV-vis) | 第83页 |
| 4.5.3 不同条件下TS-1 的活性评价 | 第83-84页 |
| 4.5.4 结果讨论 | 第84-85页 |
| 4.6 焙烧和反应前后TS-1 的表征 | 第85-87页 |
| 4.6.1 傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第85-86页 |
| 4.6.2 紫外漫反射光谱(UV-vis) | 第86-87页 |
| 4.6.3 热重分析(TGA) | 第87页 |
| 4.7 XRD、XPS、TGA数据总结分析 | 第87-93页 |
| 4.7.1 XRD数据总结分析 | 第87-89页 |
| 4.7.2 XPS数据总结分析 | 第89-91页 |
| 4.7.3 TGA数据总结分析 | 第91-93页 |
| 第五章 结论 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-102页 |
| 附录 | 第102-110页 |
| 致谢 | 第110页 |
