| 本论文的主要创新点 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 常用符号对照表 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-25页 |
| 1.1 LDMOS的研究意义 | 第14-16页 |
| 1.2 LDMOS概述 | 第16-22页 |
| 1.2.1 LDMOS的基本结构和特点 | 第16-17页 |
| 1.2.2 LDMOS的研究发展方向 | 第17-19页 |
| 1.2.3 LDMOS的研究现状 | 第19-22页 |
| 1.3 论文研究目标 | 第22-23页 |
| 1.4 论文工作简介 | 第23-25页 |
| 第二章 基于PSOI结构的LDMOS器件 | 第25-63页 |
| 2.1 SOI技术概述 | 第25-29页 |
| 2.2 SOI的耐压技术 | 第29-50页 |
| 2.2.1 SOI横向耐压技术与结构 | 第29-36页 |
| 2.2.1.1 RESURF原理 | 第29-31页 |
| 2.2.1.2 SOI横向耐压结构 | 第31-36页 |
| 2.2.2 SOI纵向耐压技术与结构 | 第36-50页 |
| 2.2.2.1 SOI纵向耐压分析 | 第36-37页 |
| 2.2.2.2 SOI纵向耐压结构 | 第37-43页 |
| 2.2.2.3 部分绝缘层上硅(PSOI) | 第43-50页 |
| 2.3 具有N埋层的高压PSOI-LDMOS | 第50-62页 |
| 2.3.1 器件结构与耐压机理 | 第50-51页 |
| 2.3.2 BNL-PSOI LDMOS特性分析 | 第51-62页 |
| 2.3.2.1 电场和电压分布 | 第52-58页 |
| 2.3.2.2 N型埋层的参数优化 | 第58-62页 |
| 2.4 小结 | 第62-63页 |
| 第三章 PSOI窗口极性对LDMOS的影响 | 第63-74页 |
| 3.1 PSOI的硅窗问题以及载体选择 | 第63-64页 |
| 3.2 PSOI-LDMOS器件结构与参数 | 第64-65页 |
| 3.3 硅窗极性对PSOI-LDMOS器件性能的影响 | 第65-73页 |
| 3.3.1 不同极性硅窗作用的基本原理 | 第65-66页 |
| 3.3.2 不同极性硅窗对击穿电压的作用 | 第66-69页 |
| 3.3.3 硅窗参数对器件影响的对比分析 | 第69-73页 |
| 3.4 小结 | 第73-74页 |
| 第四章 小尺寸薄膜PSOI-LDMOS | 第74-92页 |
| 4.1 小尺寸PSOI-LDMOS载体选取 | 第74页 |
| 4.2 PSOI-LDMOS器件结构与参数 | 第74-76页 |
| 4.3 TF PSOI-LDMOS与CSOI-LDMOS性能对比 | 第76-91页 |
| 4.3.1 电场和电势分布 | 第76-79页 |
| 4.3.2 击穿电压 | 第79-85页 |
| 4.3.3 翘曲效应(Kink Effect) | 第85-91页 |
| 4.3.3.1 翘曲效应引入 | 第85-86页 |
| 4.3.3.2 浮体效应引入 | 第86-87页 |
| 4.3.3.3 翘曲效应产生机理 | 第87页 |
| 4.3.3.4 PSOI和SOI结构的翘曲效应比较 | 第87-91页 |
| 4.4 小结 | 第91-92页 |
| 第五章 总结与展望 | 第92-95页 |
| 5.1 总结 | 第92-93页 |
| 5.2 展望 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-110页 |
| 攻博期间科研成果 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
