| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-25页 |
| 1.1 新型存储器的研究背景与需求 | 第8-15页 |
| 1.1.1 半导体存储器的研究背景 | 第8-9页 |
| 1.1.2 浮栅型非挥发存储器及其技术瓶颈 | 第9-10页 |
| 1.1.3 新型非挥发存储技术的研究 | 第10-15页 |
| 1.2 阻变存储器研究现状 | 第15-21页 |
| 1.2.1 阻变存储器的优势与应用 | 第15-16页 |
| 1.2.2 阻变随机存储器的研究现状 | 第16-20页 |
| 1.2.3 阻变存储器研究的难点和瓶颈 | 第20-21页 |
| 1.3 本文研究的关键问题及论文结构 | 第21-25页 |
| 1.3.1 本文研究的关键问题 | 第21-23页 |
| 1.3.2 论文结构 | 第23-25页 |
| 第二章 Cu_xSi_yO阻变存储器及其测试方法与测试平台 | 第25-46页 |
| 2.1 阻变存储器基本概念 | 第25-30页 |
| 2.2 Cu_xSi_yO阻变存储器的基本性能 | 第30-38页 |
| 2.2.1 Cu_xSi_yO的由来 | 第30-31页 |
| 2.2.2 Cu_xSi_yO薄膜材料特性 | 第31-32页 |
| 2.2.3 Cu_xSi_yO单元结构与集成 | 第32-33页 |
| 2.2.4 Cu_xSi_yO阻变存储器的电学特性 | 第33-36页 |
| 2.2.5 Cu_xSi_yO阻变存储器的可靠性特性 | 第36-38页 |
| 2.3 1M bit存储芯片、测试方法与测试平台 | 第38-44页 |
| 2.3.1 1M bit存储器芯片 | 第38-39页 |
| 2.3.2 芯片测试方法 | 第39-40页 |
| 2.3.3 芯片测试平台 | 第40-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第三章 Cu_xSi_yO阻变存储器尺寸微缩的研究 | 第46-65页 |
| 3.1 Cu_xS_yO阻变存储器尺寸微缩研究进展 | 第46-47页 |
| 3.2 Cu_xSi_yO阻变存储器小尺寸单元集成方法 | 第47-54页 |
| 3.3 Cu_xS_yO阻变存储器小尺寸单元性能 | 第54-58页 |
| 3.3.1 小尺寸单元电学性能 | 第55-58页 |
| 3.3.2 小尺寸单元可靠性性能 | 第58页 |
| 3.4 Cu_xSi_yO阻变存储器的尺寸微缩规律 | 第58-62页 |
| 3.4.1 阻变存储器RESET电流 | 第59-60页 |
| 3.4.2 阻变存储器器件尺寸微缩特性 | 第60-62页 |
| 3.5 Cu_xSi_yO阻变存储器的尺寸微缩假说模型 | 第62-63页 |
| 3.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 Cu_xSi_yO阻变存储器均匀性研究 | 第65-75页 |
| 4.1 均匀性的概念与研究意义 | 第65-66页 |
| 4.2 检测初始高阻态均匀性的方法 | 第66-69页 |
| 4.2.1 初始高阻态不均匀 | 第66-67页 |
| 4.2.2 物理检测 | 第67-68页 |
| 4.2.3 电学检测 | 第68-69页 |
| 4.3 工艺条件对初始态均匀性的影响 | 第69-72页 |
| 4.4 阵列大小对初始态均匀性的影响 | 第72-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 Cu_xSi_yO阻变存储器两种操作极性的研究 | 第75-84页 |
| 5.1 阻变存储器操作极性 | 第75-76页 |
| 5.2 Bipolar和Unipolar型Cu_xSi_yO阻变存储器 | 第76-78页 |
| 5.3 两种操作模式的工作机理 | 第78-81页 |
| 5.3.1 低阻态传导特性 | 第78-80页 |
| 5.3.2 低阻态温度特性 | 第80-81页 |
| 5.4 两种操作模型的物理机理解释 | 第81-82页 |
| 5.5 本章小结 | 第82-84页 |
| 第七章 总结与展望 | 第84-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
