| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-11页 |
| 1.1.1 辐射环境来源 | 第8-9页 |
| 1.1.2 辐射效应种类 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-16页 |
| 1.2.1 工艺设计 | 第12-13页 |
| 1.2.2 电路设计 | 第13-14页 |
| 1.2.3 算法设计 | 第14-15页 |
| 1.2.4 版图设计 | 第15-16页 |
| 1.3 本文的研究工作 | 第16-17页 |
| 1.4 章节安排 | 第17-18页 |
| 第二章 单粒子效应概述 | 第18-25页 |
| 2.1 单粒子效应种类 | 第18-21页 |
| 2.1.1 单粒子翻转效应 | 第18-19页 |
| 2.1.2 单粒子闩锁效应 | 第19-20页 |
| 2.1.3 单粒子多位翻转效应 | 第20页 |
| 2.1.4 单粒子功能中断 | 第20-21页 |
| 2.2 单粒子效应的定量计算 | 第21-22页 |
| 2.3 单粒子效应模拟方法 | 第22-24页 |
| 2.3.1 器件建模仿真 | 第22-23页 |
| 2.3.2 电路建模仿真 | 第23页 |
| 2.3.3 单粒子翻转的器件/电路混合仿真 | 第23-24页 |
| 2.3.4 单粒子翻转的TCAD仿真 | 第24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 SRAM存储单元抗辐射加固设计 | 第25-49页 |
| 3.1 传统SRAM6管设计 | 第26-28页 |
| 3.1.1 电路结构与原理 | 第26-27页 |
| 3.1.2 单粒子效应对6管单元的影响 | 第27-28页 |
| 3.2 MOSFET模型建立 | 第28-37页 |
| 3.2.1 Synopsys Sentaurus TCAD软件 | 第28-32页 |
| 3.2.2 MOSFET TCAD模型及工艺校准 | 第32-37页 |
| 3.3 反相器建模及加固模型研究 | 第37-42页 |
| 3.3.1 版图间距对反相器SET特性的影响 | 第37-40页 |
| 3.3.2 反相器加固TCAD模型及仿真 | 第40-42页 |
| 3.4 SRAM 6管版图加固 | 第42-48页 |
| 3.4.1 两种版图Q节点轰击后的电压变化 | 第42-44页 |
| 3.4.2 版图间距对单粒子效应的影响 | 第44-45页 |
| 3.4.3 SRAM 6管加固模型混合仿真 | 第45-46页 |
| 3.4.4 SRAM 6管单元加固模型TCAD仿真 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 总结与展望 | 第49-52页 |
| 4.1 研究工作总结 | 第49-50页 |
| 4.2 工作展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56页 |