Si基微元APD雪崩增益与结构参数优化的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 课题背景 | 第8-10页 |
| 1.2 雪崩光电二极管的发展 | 第10-13页 |
| 1.2.1 APD 结构的发展 | 第10-11页 |
| 1.2.2 Si 基 APD 的发展 | 第11-13页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 APD 增益的基本理论 | 第15-28页 |
| 2.1 电离阈值能量 | 第15-16页 |
| 2.2 电离系数理论模型 | 第16-20页 |
| 2.2.1 扩散模型 | 第16-18页 |
| 2.2.2 幸运电子模型 | 第18页 |
| 2.2.3 最大化各向异性模型 | 第18-19页 |
| 2.2.4 偶然漂移模型 | 第19-20页 |
| 2.3 硅电离系数的实验值 | 第20-21页 |
| 2.4 暗空间与非局域效应 | 第21-22页 |
| 2.5 雪崩倍增与雪崩击穿 | 第22-25页 |
| 2.5.1 雪崩增益系数 | 第23-24页 |
| 2.5.2 雪崩击穿 | 第24-25页 |
| 2.6 器件电场分布 | 第25-27页 |
| 2.7 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 微元 APD 雪崩增益与结构参数优化 | 第28-42页 |
| 3.1 电离系数的蒙特卡罗模拟 | 第28-34页 |
| 3.1.1 自由飞行时间 | 第28-29页 |
| 3.1.2 相关假设 | 第29-30页 |
| 3.1.3 模拟公式 | 第30-32页 |
| 3.1.4 电离系数的获取 | 第32-34页 |
| 3.2 击穿电压与结构参数优化 | 第34-37页 |
| 3.3 雪崩增益系数的蒙特卡罗模拟 | 第37-39页 |
| 3.4 器件的光吸收 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 微元 APD 制造参数对雪崩增益的影响 | 第42-55页 |
| 4.1 Silvaco TCAD 简介 | 第42-43页 |
| 4.2 器件结构 | 第43-49页 |
| 4.2.1 结构参数的选择依据 | 第43-44页 |
| 4.2.2 器件结构获得 | 第44-45页 |
| 4.2.3 模拟结果 | 第45-49页 |
| 4.3 器件雪崩增益性能模拟 | 第49-54页 |
| 4.3.1 基本公式 | 第49-52页 |
| 4.3.2 目标器件的增益特性 | 第52-53页 |
| 4.3.3 二次离子注入对器件性能的影响 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
