| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第9页 |
| 1.2 置氢钛合金中的氢的特性分析 | 第9-12页 |
| 1.2.1 氢对钛合金相组织的影响 | 第10-11页 |
| 1.2.2 氢对钛合金力学性能的影响 | 第11-12页 |
| 1.2.3 氢对钛合金扩散加工性能的影响 | 第12页 |
| 1.3 置氢钛合金与高温合金连接的研究现状 | 第12-16页 |
| 1.3.1 置氢钛合金连接的研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3.2 高温合金连接的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 低温扩散连接分析 | 第16-18页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 试验材料、设备及方法 | 第19-22页 |
| 2.1 试验材料 | 第19-20页 |
| 2.2 试验设备及工艺 | 第20页 |
| 2.2.1 试验设备 | 第20页 |
| 2.2.2 试验工艺过程 | 第20页 |
| 2.3 组织分析及力学性能测试 | 第20-22页 |
| 2.3.1 扫描电镜观察 | 第20-21页 |
| 2.3.2 XRD 分析 | 第21页 |
| 2.3.3 差热分析 | 第21页 |
| 2.3.4 接头力学性能测试 | 第21-22页 |
| 第3章 置氢 TC4 及 GH3128 的低温直接扩散连接 | 第22-37页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 接头典型界面组织分析 | 第22-24页 |
| 3.3 置氢 TC4 中氢含量对接头界面组织的影响 | 第24-26页 |
| 3.4 工艺参数对接头界面组织和性能的影响 | 第26-32页 |
| 3.4.1 连接温度对接头界面组织和性能的影响 | 第26-29页 |
| 3.4.2 保温时间对接头界面组织和性能的影响 | 第29-31页 |
| 3.4.3 连接压力对接头界面组织和性能的影响 | 第31-32页 |
| 3.5 接头断口分析 | 第32-34页 |
| 3.6 直接扩散连接接头形成机制分析 | 第34-36页 |
| 3.7 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 置氢 TC4 及 GH3128 的低温间接扩散连接 | 第37-53页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 TC4/V/GH3128 低温扩散连接 | 第37-38页 |
| 4.3 TC4/Cu/GH3128 低温扩散连接 | 第38-39页 |
| 4.4 TC4/Nb/GH3128 低温扩散连接 | 第39-41页 |
| 4.5 TC4/Nb/Ni/GH3128 阶梯状工艺低温扩散连接 | 第41-51页 |
| 4.5.1 Nb/Ni/GH3128 的低温一次连接 | 第41-42页 |
| 4.5.2 TC4 置氢量对接头界面组织和性能的影响 | 第42-43页 |
| 4.5.3 保温时间对接头界面组织和性能的影响 | 第43-45页 |
| 4.5.4 连接温度对接头界面组织和性能的影响 | 第45-47页 |
| 4.5.5 接头断口分析 | 第47-51页 |
| 4.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 置氢对低温扩散连接接头界面反应的作用机理 | 第53-62页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 扩散动力学计算 | 第53-58页 |
| 5.2.1 界面元素扩散方程的建立 | 第53-55页 |
| 5.2.2 界面元素扩散相关参数的计算 | 第55-58页 |
| 5.3 置氢对低温扩散连接的作用机理 | 第58-61页 |
| 5.3.1 置氢 TC4 放氢特性分析 | 第58-59页 |
| 5.3.2 低温扩散连接过程中氢的作用机理 | 第59-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
