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PLD制备InGaZnO薄膜及其物理性质研究

摘要第1-7页
Abstract第7-14页
第1章 绪论第14-26页
   ·透明氧化物半导体简介第14-16页
     ·透明氧化物半导体研究现状第15页
     ·透明氧化物半导体应用第15-16页
   ·InGaZnO 薄膜的研究现状第16-20页
     ·InGaZnO 简介第16页
     ·InGaZnO 的电子输运特性第16-17页
     ·InGaZnO 薄膜以及 TFT 研究进展第17-20页
   ·氧化物半导体薄膜制备技术第20-24页
     ·分子束外延第21-22页
     ·磁控溅射第22页
     ·化学气相沉积第22-23页
     ·溶胶-凝胶法第23页
     ·脉冲激光沉积第23-24页
   ·本课题研究内容第24-26页
第2章 透明氧化物半导体材料的理论分析第26-48页
   ·引言第26页
   ·密度泛函理论第26-31页
     ·薛定谔方程第27-28页
     ·绝热近似(Bom-Oppenheimer)方法第28页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第28-29页
     ·Kohn-Sham 方程第29-30页
     ·交换-关联能函数近似第30-31页
   ·计算模拟软件介绍第31-33页
     ·Material Studio 软件第31-32页
     ·CASTEP 软件第32-33页
   ·理想 ZnO 电子结构和性质的理论计算第33-37页
     ·理想 ZnO 的模型构建与计算方法第33-34页
     ·理想 ZnO 电子结构计算第34-37页
   ·氧空位对于 ZnO 电子结构的影响第37-39页
     ·模型构建与计算方法第37-38页
     ·能带结构和态密度第38-39页
     ·分波态密度第39页
   ·InGaZnO 电子结构的理论计算与分析第39-46页
     ·InGaZnO_4电子结构计算第40-43页
     ·虚拟晶体近似法计算InGaZnO_4电子结构第43-46页
   ·本章小结第46-48页
第3章 实验设备及表征方法第48-62页
   ·InGaZnO 陶瓷靶材制备第48-51页
     ·固相反应烧结法基本原理第48页
     ·靶材制备设备第48-50页
     ·InGaZnO 靶材制备的实验流程第50-51页
   ·InGaZnO 薄膜制备第51-55页
     ·脉冲激光沉积法基本原理第51-53页
     ·脉冲激光沉积系统第53-55页
     ·InGaZnO 薄膜制备的实验流程第55页
   ·表征方法及原理第55-60页
     ·薄膜厚度测试第55-56页
     ·X 射线衍射测试第56-57页
     ·表面形貌测试第57-58页
     ·透射光谱测试第58页
     ·电学性质测试第58页
     ·X 射线光电子能谱分析第58-59页
     ·拉曼光谱测试第59-60页
     ·荧光光谱测试第60页
   ·本章小结第60-62页
第4章 InGaZnO 陶瓷靶材的制备及表征第62-70页
   ·引言第62页
   ·InGaZnO 陶瓷靶材制备第62-64页
   ·InGaZnO 陶瓷靶材性能表征第64-69页
     ·径向收缩率测试第64-65页
     ·XRD 测试第65-67页
     ·拉曼光谱分析第67-68页
     ·光致发光光谱分析第68-69页
   ·本章小结第69-70页
第5章 沉积参数对 InGaZnO 薄膜物理性质的影响第70-95页
   ·引言第70页
   ·氧分压对沉积 InGaZnO 薄膜物理性质的影响第70-82页
     ·采用(Ga_2O_3)_(0.1)(In_2O_3)_(0.1)(ZnO)_(0.8)靶材进行薄膜沉积第70-77页
     ·采用(Ga_2O_3)_(0.1)(In_2O_3)_(0.8)(ZnO)_(0.1)靶材进行薄膜沉积第77-82页
   ·基片温度对沉积 InGaZnO 薄膜物理性质的影响第82-93页
     ·低基片温度对沉积 InGaZnO 薄膜的影响第83-88页
     ·高基片温度对沉积 InGaZnO 薄膜的影响第88-93页
   ·本章小结第93-95页
结论第95-98页
参考文献第98-110页
攻读博士学位期间所发表的学术论文第110-112页
致谢第112-114页
个人简历第114-115页

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