磁控容性耦合等离子体的PIC/MC模拟
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 低温等离子体与微电子工业 | 第9-12页 |
| 1.1.1 低温等离子体 | 第9-10页 |
| 1.1.2 低温等离子体在微电子工业中的应用 | 第10-12页 |
| 1.2 CCP源的发展与模拟研究方法 | 第12-15页 |
| 1.2.1 CCP源的发展 | 第12-13页 |
| 1.2.2 CCP的模拟研究方法 | 第13-15页 |
| 1.3 磁控等离子体介绍与研究进展 | 第15-18页 |
| 1.3.1 磁控等离子体溅射 | 第15-16页 |
| 1.3.2 磁控等离子体研究现状 | 第16-18页 |
| 1.4 本文的研究内容与安排 | 第18-19页 |
| 2 PIC/MC模拟方法 | 第19-36页 |
| 2.1 概述 | 第19页 |
| 2.2 PIC/MC模拟的一般流程 | 第19-27页 |
| 2.2.1 粒子初始化 | 第20页 |
| 2.2.2 电荷积累 | 第20-21页 |
| 2.2.3 电磁场求解 | 第21-23页 |
| 2.2.4 外电路模型 | 第23-26页 |
| 2.2.5 粒子推动 | 第26-27页 |
| 2.3 MC模拟 | 第27-34页 |
| 2.3.1 MC方法概述 | 第27-28页 |
| 2.3.2 伪碰撞方法 | 第28-30页 |
| 2.3.3 碰撞后粒子速度的确定 | 第30-32页 |
| 2.3.4 电子与分子的碰撞 | 第32-33页 |
| 2.3.5 离子与分子的碰撞 | 第33-34页 |
| 2.4 表面过程 | 第34-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 3 磁控容性耦合Ar等离子体研究 | 第36-58页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 外电路对直流磁控放电的影响 | 第36-43页 |
| 3.3 磁感应强度对射频磁控放电的影响 | 第43-52页 |
| 3.4 几何效应对射频磁控放电的影响 | 第52-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
