| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 太赫兹技术简介 | 第9-10页 |
| 1.2 太赫兹技术特点与应用 | 第10页 |
| 1.3 太赫兹压控振荡器的国内外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.3.1 基于标准SiGe BiCMOS工艺的太赫兹压控振荡器 | 第11-12页 |
| 1.3.2 基于标准CMOS工艺的太赫兹压控振荡器 | 第12-13页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 振荡器的理论基础 | 第15-39页 |
| 2.1 振荡器基本原理 | 第15-19页 |
| 2.1.1 反馈型振荡器 | 第15-17页 |
| 2.1.2 单端口型振荡器 | 第17-19页 |
| 2.2 振荡器种类 | 第19-26页 |
| 2.2.1 环形振荡器 | 第19-21页 |
| 2.2.2 三点式振荡器 | 第21-22页 |
| 2.2.3 交叉耦合振荡器 | 第22-26页 |
| 2.3 振荡器的性能参数 | 第26-28页 |
| 2.4 相位噪声 | 第28-37页 |
| 2.4.1 基本概念 | 第28-29页 |
| 2.4.2 相位噪声分析模型 | 第29-37页 |
| 2.5 特征频率与最大振荡频率 | 第37-38页 |
| 2.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 压控振荡器中无源器件的介绍与设计 | 第39-57页 |
| 3.1 HFSS软件介绍 | 第39-41页 |
| 3.2 IBM SiGe 0.13μm BiCMOS工艺介绍 | 第41-50页 |
| 3.2.1 IBM SiGe BiCMOS工艺特点 | 第41-44页 |
| 3.2.2 IBM SiGe BiCMOS工艺结构及工艺参数 | 第44-46页 |
| 3.2.3 IBM SiGe BiCMOS工艺器件介绍 | 第46-50页 |
| 3.3 压控振荡器中无源器件的设计与仿真 | 第50-56页 |
| 3.3.1 片上电感的结构 | 第50-51页 |
| 3.3.2 片上电感的非理想因素及优化 | 第51-52页 |
| 3.3.3 片上电感的设计与仿真 | 第52-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 太赫兹压控振荡器的设计与仿真 | 第57-78页 |
| 4.1 太赫兹压控振荡器 | 第57-63页 |
| 4.1.1 太赫兹压控振荡器的种类 | 第57-61页 |
| 4.1.2 太赫兹压控振荡器设计时的关键问题 | 第61-62页 |
| 4.1.3 本文采用的电路结构 | 第62-63页 |
| 4.2 太赫兹压控振荡器电路设计与仿真 | 第63-72页 |
| 4.2.1 太赫兹压控振荡器电路的设计 | 第63-68页 |
| 4.2.2 太赫兹压控振荡器电路的前仿真 | 第68-72页 |
| 4.3 太赫兹压控振荡器版图设计与后仿真 | 第72-77页 |
| 4.3.1 太赫兹压控振荡器版图设计 | 第72-73页 |
| 4.3.2 太赫兹压控振荡器的后仿真 | 第73-77页 |
| 4.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 总结与展望 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
