摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第一章 引言 | 第10-19页 |
·电子与离子碰撞的基本过程 | 第10-12页 |
·双电子复合(DR)过程 | 第12-14页 |
·双电子复合(DR)的物理图像 | 第12-13页 |
·双电子复合过程的研究意义和研究现状 | 第13-14页 |
·本文的研究内容 | 第14-16页 |
参考文献 | 第16-19页 |
第二章 理论方法 | 第19-29页 |
·双电子复合(DR)截面和速率系数计算公式 | 第19-20页 |
·理论方法 | 第20-28页 |
·局域中心势的选择 | 第21-23页 |
·Dirac方程的求解 | 第23-24页 |
·角向积分和哈密顿矩阵元 | 第24-25页 |
·单电子算符 | 第24-25页 |
·双电子算符 | 第25页 |
·径向积分 | 第25-26页 |
·辐射跃迁速率 | 第26-27页 |
·自电离速率 | 第27-28页 |
参考文献 | 第28-29页 |
第三章 类铷钨离子的DR 过程 | 第29-59页 |
·引言 | 第29-31页 |
·DR 速率系数随l' 的变化 | 第31-32页 |
·高里德堡态电子跃迁对DR速率系数的影响 | 第32-34页 |
·组态混合对DR速率系数的影响 | 第34-44页 |
·组态混合对3d电子激发DR速率系数的影响 | 第35-36页 |
·组态混合对45电子激发DR速率系数的影响 | 第36-39页 |
·组态混合对4p电子激发DR速率系数的影响 | 第39-41页 |
·组态混合对4d电子激发DR速率系数的影响 | 第41-44页 |
·不同电子激发的DR速率系数 | 第44-53页 |
·3s电子激发的DR速率系数 | 第44-45页 |
·3p电子激发的DR速率系数 | 第45-47页 |
·3d电子激发的DR速率系数 | 第47-48页 |
·4s电子激发的DR速率系数 | 第48-49页 |
·4p电子激发的DR速率系数 | 第49-51页 |
·4d电子激发的DR速率系数 | 第51-52页 |
·不同电子激发的总DR速率系数 | 第52-53页 |
·Δn =0 ,Δn = 1 和Δn =2 三类不同芯激发的DR 速率系数 | 第53-54页 |
·总DR 速率系数的拟合及与RR 和TBR 的比较 | 第54-55页 |
·小结 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-59页 |
第四章 钨等核系列离子的DR 过程 | 第59-70页 |
·DR 速率系数随l' 的变化 | 第59页 |
·不同电子激发的DR 速率系数 | 第59-62页 |
·Δn =0 ,Δn = 1 和Δn = 2 三类不同芯激发的DR 速率系数 | 第62-64页 |
·总DR 速率系数的拟合及DR 截面 | 第64-67页 |
·DR、RR和TBR速率系数的比较 | 第67-68页 |
·小结 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-70页 |
第五章 总结与展望 | 第70-73页 |
·总结 | 第70-71页 |
·展望 | 第71页 |
参考文献 | 第71-73页 |
附录Ⅰ:硕士学位期间发表论文情况 | 第73-74页 |
附录Ⅱ:硕士学位期间学术会议论文摘要 | 第74-75页 |
致谢 | 第75-76页 |