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高离化态钨离子双电子复合过程的相对论理论研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第一章 引言第10-19页
   ·电子与离子碰撞的基本过程第10-12页
   ·双电子复合(DR)过程第12-14页
     ·双电子复合(DR)的物理图像第12-13页
     ·双电子复合过程的研究意义和研究现状第13-14页
   ·本文的研究内容第14-16页
 参考文献第16-19页
第二章 理论方法第19-29页
   ·双电子复合(DR)截面和速率系数计算公式第19-20页
   ·理论方法第20-28页
     ·局域中心势的选择第21-23页
     ·Dirac方程的求解第23-24页
     ·角向积分和哈密顿矩阵元第24-25页
       ·单电子算符第24-25页
       ·双电子算符第25页
     ·径向积分第25-26页
     ·辐射跃迁速率第26-27页
     ·自电离速率第27-28页
 参考文献第28-29页
第三章 类铷钨离子的DR 过程第29-59页
   ·引言第29-31页
   ·DR 速率系数随l' 的变化第31-32页
   ·高里德堡态电子跃迁对DR速率系数的影响第32-34页
   ·组态混合对DR速率系数的影响第34-44页
     ·组态混合对3d电子激发DR速率系数的影响第35-36页
     ·组态混合对45电子激发DR速率系数的影响第36-39页
     ·组态混合对4p电子激发DR速率系数的影响第39-41页
     ·组态混合对4d电子激发DR速率系数的影响第41-44页
   ·不同电子激发的DR速率系数第44-53页
     ·3s电子激发的DR速率系数第44-45页
     ·3p电子激发的DR速率系数第45-47页
     ·3d电子激发的DR速率系数第47-48页
     ·4s电子激发的DR速率系数第48-49页
     ·4p电子激发的DR速率系数第49-51页
     ·4d电子激发的DR速率系数第51-52页
     ·不同电子激发的总DR速率系数第52-53页
   ·Δn =0 ,Δn = 1 和Δn =2 三类不同芯激发的DR 速率系数第53-54页
   ·总DR 速率系数的拟合及与RR 和TBR 的比较第54-55页
   ·小结第55-56页
 参考文献第56-59页
第四章 钨等核系列离子的DR 过程第59-70页
   ·DR 速率系数随l' 的变化第59页
   ·不同电子激发的DR 速率系数第59-62页
   ·Δn =0 ,Δn = 1 和Δn = 2 三类不同芯激发的DR 速率系数第62-64页
   ·总DR 速率系数的拟合及DR 截面第64-67页
   ·DR、RR和TBR速率系数的比较第67-68页
   ·小结第68-69页
 参考文献第69-70页
第五章 总结与展望第70-73页
   ·总结第70-71页
   ·展望第71页
 参考文献第71-73页
附录Ⅰ:硕士学位期间发表论文情况第73-74页
附录Ⅱ:硕士学位期间学术会议论文摘要第74-75页
致谢第75-76页

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