| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 微通道板器件与制备技术的简介 | 第8-11页 |
| 1.1.1 微通道板工作原理 | 第8页 |
| 1.1.2 微通道板的类型 | 第8-10页 |
| 1.1.3 薄膜打拿极技术 | 第10-11页 |
| 1.2 AZO薄膜纳米叠层技术 | 第11-17页 |
| 1.2.1 AZO薄膜的国内外发展及应用 | 第11-12页 |
| 1.2.2 AZO薄膜制备技术 | 第12-14页 |
| 1.2.3 原子层沉积技术简介 | 第14-16页 |
| 1.2.4 高阻AZO薄膜电阻率测量技术 | 第16-17页 |
| 1.3 本论文主要研究内容及意义 | 第17-19页 |
| 1.3.1 主要内容 | 第17页 |
| 1.3.2 研究意义 | 第17-19页 |
| 第二章 AZO薄膜纳米叠层设计与制备实验 | 第19-31页 |
| 2.1 微通道板对薄膜打拿极导电层薄膜的要求 | 第19-20页 |
| 2.1.1 微通道板的板电阻特性 | 第19页 |
| 2.1.2 微通道板打拿极薄膜电阻分析 | 第19-20页 |
| 2.2 导电层薄膜材料与叠层结构设计 | 第20-24页 |
| 2.2.1 打拿极导电层薄膜材料要求 | 第20-21页 |
| 2.2.2 导电层薄膜材料的选择 | 第21-22页 |
| 2.2.3 AZO薄膜叠层设计 | 第22-24页 |
| 2.3 AZO薄膜纳米叠层制备实验 | 第24-29页 |
| 2.3.1 ALD系统及实验原料 | 第24页 |
| 2.3.2 ALD实验原理 | 第24-25页 |
| 2.3.3 ALD工艺程序编译 | 第25-27页 |
| 2.3.4 AZO薄膜制备工艺流程 | 第27-28页 |
| 2.3.5 退火实验 | 第28-29页 |
| 2.4 AZO纳米叠层性能测试表征 | 第29-30页 |
| 2.4.1 薄膜形貌测试分析 | 第29页 |
| 2.4.2 薄膜成分分析 | 第29-30页 |
| 2.4.3 薄膜方阻测量 | 第30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 AZO纳米叠层结构和微观形貌特性 | 第31-38页 |
| 3.1 影响薄膜包覆性因素的研究 | 第31-34页 |
| 3.1.1 压强及载气流量对AZO薄膜包覆性的影响 | 第32页 |
| 3.1.2 沉积温度对AZO薄膜包覆性的影响 | 第32-33页 |
| 3.1.3 前驱体通气时间对AZO薄膜包覆性的影响 | 第33-34页 |
| 3.2 AZO薄膜表面形貌分析 | 第34-35页 |
| 3.2.1 沉积温度对AZO薄膜表面形貌的影响 | 第34页 |
| 3.2.2 叠层对AZO薄膜表面形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.3 衬底材料对薄膜厚度的影响 | 第35-36页 |
| 3.4 不同子层对薄膜叠层形貌的影响 | 第36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 AZO纳米叠层薄膜电阻特性 | 第38-46页 |
| 4.1 薄膜方阻测量系统 | 第38-40页 |
| 4.1.1 高阻薄膜测量的特点和要求 | 第38页 |
| 4.1.2 薄膜方阻测试系统设计 | 第38-40页 |
| 4.2 AZO薄膜的电阻特性分析 | 第40-43页 |
| 4.2.1 AZO组成对薄膜电阻的影响 | 第40-42页 |
| 4.2.2 AZO叠层对薄膜电阻的影响 | 第42-43页 |
| 4.3 退火处理对薄膜电阻的影响 | 第43-45页 |
| 4.3.1 退火时间对薄膜电阻的影响 | 第43-44页 |
| 4.3.2 退火温度对薄膜电阻的影响 | 第44页 |
| 4.3.3 退火气氛对薄膜电阻的影响 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第50-51页 |
| 附录 | 第51-52页 |