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一维半导体纳米材料的制备、发光及场发射性能

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-23页
    1.1 纳米材料概述第10页
    1.2 一维半导体纳米材料的研究现状第10-22页
        1.2.1 一维半导体纳米材料的制备方法第10-11页
        1.2.2 一维半导体纳米材料的表征方法第11-13页
        1.2.3 一维半导体纳米材料的光致发光性能第13-16页
        1.2.4 一维半导体纳米材料的场发射性能第16-21页
        1.2.5 一维纳米材料的应用第21-22页
    1.3 研究意义及内容第22-23页
第二章 CuO纳米材料的制备、表征及性能研究第23-38页
    引言第23页
    2.1 热氧化法制备CuO纳米线第23-31页
        2.1.1 实验过程第23-24页
        2.1.2 CuO纳米线的表征第24-27页
        2.1.3 CuO纳米线的生长分析第27-30页
        2.1.4 CuO纳米线的场发射性能分析第30-31页
    2.2 化学腐蚀法制备CuO纳米结构材料第31-37页
        2.2.1 实验过程第31-32页
        2.2.2 CuO纳米结构的SEM分析与XRD分析第32-33页
        2.2.3 CuO纳米结构生长过程第33-37页
        2.2.4 CuO纳米片的场发射性能第37页
    2.3 本章小结第37-38页
第三章 ZnO纳米棒阵列的制备、表征及性能研究第38-47页
    引言第38页
    3.0 实验过程第38-39页
        3.0.1 实验材料及仪器第38页
        3.0.2 制备过程第38-39页
    3.1 ZnO纳米棒的表征第39-41页
        3.1.1 扫描电镜(SEM)分析第39-40页
        3.1.2 X射线衍射(XRD)分析第40-41页
    3.2 纳米棒阵列的生长分析第41-42页
        3.2.1 不同衬底及时间对ZnO纳米棒形貌的影响第41-42页
        3.2.2 ZnO纳米棒生长过程第42页
    3.3 纳米棒阵列的性能研究第42-46页
        3.3.1 纳米棒的光致发光(PL)性能研究第42-44页
        3.3.2 纳米棒的场发射性能研究第44-46页
    3.4 本章小结第46-47页
第四章 In_2O_3纳米线的制备、表征及性能研究第47-59页
    引言第47页
    4.1 实验过程第47-48页
        4.1.1 实验材料及仪器第47-48页
        4.1.2 制备过程第48页
    4.2 In_2O_3一维纳米材料的表征第48-51页
        4.2.1 扫描电镜(SEM)分析第49页
        4.2.2 X射线衍射(XRD)分析第49-50页
        4.2.3 透射电子显微镜(TEM)分析第50页
        4.2.4 X射线光电子能谱(XPS)分析第50-51页
    4.3 In_2O_3纳米线的生长分析第51-55页
        4.3.1 不同参数对In_2O_3纳米线形貌的影响第51-55页
        4.3.2 In_2O_3纳米线生长过程第55页
    4.4 In_2O_3纳米线性能研究第55-57页
        4.4.1 光致发光(PL)性能研究第55-56页
        4.4.2 纳米棒的场发射性能研究第56-57页
    4.5 本章小结第57-59页
第五章 场发射性能对比分析第59-64页
    5.1 场发射性能的影响因素第59-60页
        5.1.1 电子亲和势第59页
        5.1.2 功函数第59页
        5.1.3 样品形貌第59-60页
        5.1.4 其他因素第60页
    5.2 实验结果与分析第60-64页
        5.2.1 ZnO纳米棒和In_2O_3纳米线的场发射性能对比分析第60-62页
        5.2.2 两种不同形貌的CuO的场发射性能对比分析第62-63页
        5.2.3 In_2O_3纳米线与CuO纳米线场发射性能的对比分析第63页
        5.2.4 总结第63-64页
第六章 结论第64-65页
参考文献第65-70页
发表论文和科研情况说明第70-71页
致谢第71-72页

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