摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-23页 |
1.1 纳米材料概述 | 第10页 |
1.2 一维半导体纳米材料的研究现状 | 第10-22页 |
1.2.1 一维半导体纳米材料的制备方法 | 第10-11页 |
1.2.2 一维半导体纳米材料的表征方法 | 第11-13页 |
1.2.3 一维半导体纳米材料的光致发光性能 | 第13-16页 |
1.2.4 一维半导体纳米材料的场发射性能 | 第16-21页 |
1.2.5 一维纳米材料的应用 | 第21-22页 |
1.3 研究意义及内容 | 第22-23页 |
第二章 CuO纳米材料的制备、表征及性能研究 | 第23-38页 |
引言 | 第23页 |
2.1 热氧化法制备CuO纳米线 | 第23-31页 |
2.1.1 实验过程 | 第23-24页 |
2.1.2 CuO纳米线的表征 | 第24-27页 |
2.1.3 CuO纳米线的生长分析 | 第27-30页 |
2.1.4 CuO纳米线的场发射性能分析 | 第30-31页 |
2.2 化学腐蚀法制备CuO纳米结构材料 | 第31-37页 |
2.2.1 实验过程 | 第31-32页 |
2.2.2 CuO纳米结构的SEM分析与XRD分析 | 第32-33页 |
2.2.3 CuO纳米结构生长过程 | 第33-37页 |
2.2.4 CuO纳米片的场发射性能 | 第37页 |
2.3 本章小结 | 第37-38页 |
第三章 ZnO纳米棒阵列的制备、表征及性能研究 | 第38-47页 |
引言 | 第38页 |
3.0 实验过程 | 第38-39页 |
3.0.1 实验材料及仪器 | 第38页 |
3.0.2 制备过程 | 第38-39页 |
3.1 ZnO纳米棒的表征 | 第39-41页 |
3.1.1 扫描电镜(SEM)分析 | 第39-40页 |
3.1.2 X射线衍射(XRD)分析 | 第40-41页 |
3.2 纳米棒阵列的生长分析 | 第41-42页 |
3.2.1 不同衬底及时间对ZnO纳米棒形貌的影响 | 第41-42页 |
3.2.2 ZnO纳米棒生长过程 | 第42页 |
3.3 纳米棒阵列的性能研究 | 第42-46页 |
3.3.1 纳米棒的光致发光(PL)性能研究 | 第42-44页 |
3.3.2 纳米棒的场发射性能研究 | 第44-46页 |
3.4 本章小结 | 第46-47页 |
第四章 In_2O_3纳米线的制备、表征及性能研究 | 第47-59页 |
引言 | 第47页 |
4.1 实验过程 | 第47-48页 |
4.1.1 实验材料及仪器 | 第47-48页 |
4.1.2 制备过程 | 第48页 |
4.2 In_2O_3一维纳米材料的表征 | 第48-51页 |
4.2.1 扫描电镜(SEM)分析 | 第49页 |
4.2.2 X射线衍射(XRD)分析 | 第49-50页 |
4.2.3 透射电子显微镜(TEM)分析 | 第50页 |
4.2.4 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第50-51页 |
4.3 In_2O_3纳米线的生长分析 | 第51-55页 |
4.3.1 不同参数对In_2O_3纳米线形貌的影响 | 第51-55页 |
4.3.2 In_2O_3纳米线生长过程 | 第55页 |
4.4 In_2O_3纳米线性能研究 | 第55-57页 |
4.4.1 光致发光(PL)性能研究 | 第55-56页 |
4.4.2 纳米棒的场发射性能研究 | 第56-57页 |
4.5 本章小结 | 第57-59页 |
第五章 场发射性能对比分析 | 第59-64页 |
5.1 场发射性能的影响因素 | 第59-60页 |
5.1.1 电子亲和势 | 第59页 |
5.1.2 功函数 | 第59页 |
5.1.3 样品形貌 | 第59-60页 |
5.1.4 其他因素 | 第60页 |
5.2 实验结果与分析 | 第60-64页 |
5.2.1 ZnO纳米棒和In_2O_3纳米线的场发射性能对比分析 | 第60-62页 |
5.2.2 两种不同形貌的CuO的场发射性能对比分析 | 第62-63页 |
5.2.3 In_2O_3纳米线与CuO纳米线场发射性能的对比分析 | 第63页 |
5.2.4 总结 | 第63-64页 |
第六章 结论 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-70页 |
发表论文和科研情况说明 | 第70-71页 |
致谢 | 第71-72页 |