| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 半导体LED照明发展过程 | 第10-11页 |
| 1.2 实现白光LED的途径 | 第11-12页 |
| 1.3 白光LED用红色荧光粉 | 第12-13页 |
| 1.4 荧光粉的制备方法与优缺点 | 第13-15页 |
| 1.5 常用的荧光粉除碳工艺 | 第15-16页 |
| 1.6 等离子体相关应用 | 第16-17页 |
| 1.7 本文研究的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 全氧化物碳热还原氮化法制备Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+)荧光粉 | 第18-27页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 全氧化物碳热还原氮化法制备Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+) | 第18-20页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第20-26页 |
| 2.3.1 碳热还原合成Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+)荧光粉的相结构 | 第20-21页 |
| 2.3.2 碳热还原合成Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+)荧光粉的粒径以及相貌图 | 第21-22页 |
| 2.3.3 碳热还原合成Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+)荧光粉的发光性能 | 第22-24页 |
| 2.3.4 碳热还原合成Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+)荧光粉的反应机制 | 第24-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 全氧化物碳热还原氮化法制备CaAlSiN_3:Eu~(2+)荧光粉 | 第27-34页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 实验与表征 | 第27-28页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第28-33页 |
| 3.3.1 碳热还原合成CaAlSiN_3:Eu~(2+)荧光粉的相结构 | 第29页 |
| 3.3.2 碳热还原合成CaAlSiN_3:Eu~(2+)荧光粉的粒径以及形貌图 | 第29-30页 |
| 3.3.3 碳热还原合成CaAlSiN_3:Eu~(2+)荧光粉的发光性能 | 第30-32页 |
| 3.3.4 碳热还原合成CaAlSiN_3:Eu~(2+)荧光粉的反应机理 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 DBD大气等离子体去除氮化物荧光粉残碳 | 第34-54页 |
| 4.1 引言 | 第34-35页 |
| 4.2 实验与表征 | 第35-36页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第36-47页 |
| 4.3.1 等离子体处理时间对残碳脱除的影响 | 第39-42页 |
| 4.3.2 等离子体处理电压对残碳脱除的影响 | 第42-44页 |
| 4.3.3 等离子体处理电流对残碳脱除的影响 | 第44-47页 |
| 4.4 等离子体除碳机理 | 第47-49页 |
| 4.5 等离子体除碳与传统高温除碳的对比 | 第49-53页 |
| 4.5.1 等离子体除碳与高温除碳对样品XRD的影响 | 第50-51页 |
| 4.5.2 等离子体除碳与高温除碳对样品发射光谱的影响 | 第51-52页 |
| 4.5.3 等离子体除碳与高温除碳对样品漫反射的影响 | 第52页 |
| 4.5.4 等离子体除碳与高温除碳对样品色坐标的影响 | 第52-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 DBD等离子体除碳对荧光粉的劣化损伤作用 | 第54-58页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 实验与表征 | 第54-55页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第55-57页 |
| 5.3.1 等离子体除碳对样品物相的影响 | 第55页 |
| 5.3.2 等离子体除碳对样品激发发射光谱的影响 | 第55-56页 |
| 5.3.3 等离子体除碳对样品粒径形貌的影响 | 第56页 |
| 5.3.4 等离子体除碳对样品漫反射的影响 | 第56-57页 |
| 5.3.5 等离子体除碳对样品色坐标的影响 | 第57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
