| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10-12页 |
| 1.1.1 超材料介绍 | 第10-11页 |
| 1.1.2 基于超材料的THz器件的实现 | 第11-12页 |
| 1.2 基于超材料的太赫兹调制器的研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.1 谐振类型的调制器研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.2 吸收类型的调制器研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.3 基于电磁诱导透明的调制器研究现状 | 第16页 |
| 1.3 论文主要章节安排 | 第16-18页 |
| 第二章 超材料基本设计理论 | 第18-26页 |
| 2.1 电磁超材料原理 | 第18-22页 |
| 2.1.1 等效介电常数为负 | 第18-20页 |
| 2.1.2 等效磁导率为负 | 第20-22页 |
| 2.2 半导体光吸收机理 | 第22-23页 |
| 2.3 电磁诱导透明效应产生方式 | 第23-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 极化不敏感的电磁诱导透明效应调制器设计 | 第26-49页 |
| 3.1 亮-亮模式EIT效应的极化不敏感调制器设计 | 第26-37页 |
| 3.1.1 亮-亮模式EIT效应模型设计 | 第26-27页 |
| 3.1.2 EIT效应模型仿真分析 | 第27-31页 |
| 3.1.3 EIT效应的动态调制设计 | 第31-33页 |
| 3.1.4 互补结构研究 | 第33-37页 |
| 3.2 亮-暗模式EIT效应的极化不敏感调制器设计 | 第37-48页 |
| 3.2.1 正方形环结构设计与研究 | 第37-39页 |
| 3.2.1.1 仿真模型设计 | 第37页 |
| 3.2.1.2 模型仿真分析 | 第37-39页 |
| 3.2.2 亮-暗模式EIT效应模型 | 第39-48页 |
| 3.2.2.1 亮-暗模式EIT效应模型设计 | 第39-40页 |
| 3.2.2.2 EIT效应模型仿真分析 | 第40-46页 |
| 3.2.2.3 互补结构研究 | 第46-48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 多频带谐振调制器的研制 | 第49-65页 |
| 4.1 工字型单频带结构 | 第49-52页 |
| 4.2 双谐振频带调制器设计 | 第52-56页 |
| 4.2.1 双谐振频带调制器模型结构 | 第52页 |
| 4.2.2 模型仿真分析 | 第52-55页 |
| 4.2.3 双频带结构调制设计 | 第55-56页 |
| 4.3 三谐振频带调制器设计 | 第56-62页 |
| 4.3.1 三谐振频带调制器模型结构 | 第56-57页 |
| 4.3.2 模型仿真分析 | 第57-60页 |
| 4.3.3 三频带结构调制设计 | 第60-62页 |
| 4.4 实物加工与测试 | 第62-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 基于低电导率材料的超宽带吸收调制器设计 | 第65-78页 |
| 5.1 超宽带吸收调制器设计 | 第65-71页 |
| 5.1.1 模型结构设计 | 第65-66页 |
| 5.1.2 模型仿真分析 | 第66-71页 |
| 5.1.3 吸收结构的调制设计 | 第71页 |
| 5.2 复合结构超宽带吸收调制器设计 | 第71-77页 |
| 5.2.1 复合结构模型设计 | 第71-72页 |
| 5.2.2 复合结构仿真分析 | 第72-76页 |
| 5.2.3 复合结构的调制设计 | 第76-77页 |
| 5.3 本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 6.1 论文主要工作 | 第78-79页 |
| 6.2 论文中的创新点 | 第79页 |
| 6.3 论文中的不足 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-86页 |