| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-27页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·原子层沉积技术的特点及发展趋势 | 第7-18页 |
| ·热原子层沉积技术 | 第8-9页 |
| ·等离子体辅助原子层沉积技术 | 第9-16页 |
| ·原子层沉积技术的应用范围和发展方向 | 第16-18页 |
| ·原子层沉积技术在高阻隔薄膜中的应用 | 第18-22页 |
| ·阻隔薄膜的定义及要求 | 第18-19页 |
| ·原子层沉积阻隔薄膜的研究现状 | 第19-20页 |
| ·高阻隔性能的测量 | 第20-21页 |
| ·原子层沉积制备高阻隔薄膜及其存在的问题 | 第21-22页 |
| ·快速原子层沉积氧化硅（RALD-SiO_2）的研究 | 第22-26页 |
| ·快速原子层沉积氧化硅的生长原理 | 第22-25页 |
| ·快速原子层沉积氧化硅存在的问题 | 第25-26页 |
| ·论文研究目的、意义及主要内容 | 第26-27页 |
| ·课题研究的目的、意义 | 第26页 |
| ·课题研究的主要内容 | 第26-27页 |
| 第二章 实验设备及检测方法 | 第27-34页 |
| ·实验设备 | 第27-28页 |
| ·热原子沉积设备 | 第27页 |
| ·等离子体辅助原子层沉积设备 | 第27-28页 |
| ·实验材料 | 第28-30页 |
| ·薄膜的表征 | 第30-33页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第30-31页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第31页 |
| ·X射线光电子能谱（XPS） | 第31-32页 |
| ·傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR） | 第32页 |
| ·椭圆偏振仪 | 第32-33页 |
| ·薄膜水蒸气透过率测试（WVTR） | 第33页 |
| ·等离子体发射光谱检测（OES） | 第33-34页 |
| 第三章 TMA催化TPS快速原子层沉积氧化硅的研究 | 第34-48页 |
| ·TMA催化TPS‐T‐RALD生长SiO_2 | 第34-38页 |
| ·TPS通入量 | 第34-35页 |
| ·TMA通入量 | 第35-36页 |
| ·T‐RALD‐SiO_2 | 第36-38页 |
| ·等离子体辅助TMA催化TPS ‐RALD生长SiO_2 | 第38-48页 |
| ·氩等离子体 | 第38-42页 |
| ·氧等离子体 | 第42-48页 |
| 第四章 原子层沉积氧化铝、氧化硅阻隔性能的研究 | 第48-66页 |
| ·T‐ALD Al_2O_3的阻隔性能 | 第48-54页 |
| ·T‐ALD工艺参数 | 第48页 |
| ·T‐ALD‐Al_2O_3 | 第48-49页 |
| ·元素含量分析 | 第49-50页 |
| ·T‐ALD‐Al_2O_3的阻隔性能 | 第50页 |
| ·氧等离子体预处理 | 第50-54页 |
| ·等离子体辅助原子层沉积氧化铝的研究 | 第54-58页 |
| ·氧等离子体诊断 | 第54-55页 |
| ·等离子体辅助原子层沉积氧化铝参数 | 第55页 |
| ·等离子体辅助原子层沉积氧化铝薄膜表面相貌 | 第55-58页 |
| ·T‐RALD‐SiO_2阻隔性能的研究 | 第58-62页 |
| ·PA‐RADL‐SiO_2阻隔性能 | 第62-66页 |
| 第五章 结论和展望 | 第66-69页 |
| ·本论文的主要结论及工作展望 | 第66-67页 |
| ·本论文的创新点 | 第67-68页 |
| ·下一步工作展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
