| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·课题研究背景和意义 | 第10-12页 |
| ·国内外研究现状与发展动态 | 第12-16页 |
| ·论文主要内容及安排 | 第16-18页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 工作原理及击穿机制 | 第18-29页 |
| ·极化效应和二维电子气 | 第18-23页 |
| ·极化效应 | 第18-21页 |
| ·二维电子气 | 第21-23页 |
| ·AlGaN/GaN 基本器件结构与工作原理 | 第23-26页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 击穿机理与泄漏电流 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 背势垒缓冲层 GaN HEMT 耐压机理的研究 | 第29-41页 |
| ·低 Al 组分 AlGaN 缓冲层 GaN DHFET 耐压机理研究 | 第29-35页 |
| ·器件结构和物理模型 | 第29-30页 |
| ·仿真结果 | 第30-35页 |
| ·增强型 GaN DHFET 器件特性研究 | 第35-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 缓冲层中引入受主陷阱对 GaN DHFET 泄漏电流的影响 | 第41-54页 |
| ·缓冲层中受主陷阱对器件泄漏电流的影响 | 第41-47页 |
| ·使用缓冲层陷阱掺杂的 GaN DHFET 器件特性研究 | 第47-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 缓冲层中极化掺杂对 GaN DHFET 器件特性影响的研究 | 第54-71页 |
| ·极化掺杂引入 3DHG 机制以及对 Mg 电离率的影响 | 第55-63页 |
| ·极化掺杂产生 3DHG 的物理机制分析 | 第55-56页 |
| ·极化掺杂对 Mg 电离率影响的仿真研究 | 第56-60页 |
| ·GaN DHFET 中 3DHG 的研究 | 第60-63页 |
| ·极化掺杂 GaN DHFET 器件耐压特性研究 | 第63-70页 |
| ·器件结构及模型 | 第63-64页 |
| ·耐压机理分析 | 第64-67页 |
| ·泄漏电流与击穿特性 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 攻硕期间的研究成果 | 第80-81页 |
