| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·半导体量子环的研究背景 | 第9-10页 |
| ·半导体纳米材料的发展背景 | 第9-10页 |
| ·半导体量子环器件 | 第10-12页 |
| ·基于量子点的量子光源 | 第10-11页 |
| ·量子环太赫兹探测器 | 第11页 |
| ·量子环器件 | 第11-12页 |
| ·半导体量子环的制备方法 | 第12-14页 |
| ·应变自组织生长 | 第12-13页 |
| ·液滴外延生长 | 第13-14页 |
| ·本论文结构安排 | 第14-17页 |
| 参考文献 | 第17-21页 |
| 第二章 液滴外延下半导体量子环生长的热力学分析和动力学模拟 | 第21-32页 |
| ·液滴外延技术生长半导体量子环的物理机制 | 第21-22页 |
| ·液滴外延技术生长半导体量子环的物理机制 | 第21-22页 |
| ·半导体量子环生长的热力学分析和动力学模拟 | 第22-30页 |
| ·量子环生长过程中原子的成核 | 第22-24页 |
| ·量子环模拟过程中的动力学生长 | 第24-27页 |
| ·量子环高度的变化 | 第27-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第三章 动力学蒙特卡洛方法模拟生长半导体量子环仿真研究 | 第32-53页 |
| ·动力学蒙特卡洛方法 | 第32-38页 |
| ·动力学蒙特卡洛方法 | 第32-34页 |
| ·动力学蒙特卡洛模型和仿真算法 | 第34-38页 |
| ·量子环生长模拟过程中生长参数对量子环的影响 | 第38-41页 |
| ·生长温度对量子环生长模拟的影响 | 第39-40页 |
| ·沉积速率对量子环生长模拟的影响 | 第40-41页 |
| ·动力学蒙特卡洛模拟单掺杂量子环生长和双掺杂量子环生长 | 第41-49页 |
| ·动力学蒙特卡洛方法仿真模拟中的应变分布理论 | 第41-43页 |
| ·动力学蒙特卡洛模拟单掺杂量子环生长 | 第43-46页 |
| ·动力学蒙特卡洛模拟双掺杂量子环生长 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第四章 半导体量子环组分分布及电子结构特性研究 | 第53-63页 |
| ·有限元方法(Finite element method)介绍 | 第53-55页 |
| ·有限元(FEM)方法基本思想及特点 | 第53-54页 |
| ·有限元方法(FEM)处理应变、应力问题 | 第54-55页 |
| ·量子环组分分布研究 | 第55-56页 |
| ·量子环应变效应对电子结构的影响 | 第56-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-66页 |
| ·论文总结 | 第63-64页 |
| ·今后工作展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第67页 |
