| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-17页 |
| ·PZT铁电薄膜的研究现状及应用前景 | 第7-9页 |
| ·PZT铁电薄膜在红外探测器上的应用 | 第7-9页 |
| ·PZT铁电薄膜在非挥发性铁电存储器中的应用 | 第9页 |
| ·PZT薄膜微阵列图形的研究现状 | 第9-12页 |
| ·微阵列图形电学性能的研究现状 | 第12-14页 |
| ·本论文的研究工作 | 第14-17页 |
| ·前期实验介绍 | 第14页 |
| ·本研究的目的及意义 | 第14-15页 |
| ·本研究的内容 | 第15页 |
| ·本研究的创新点 | 第15-17页 |
| 2 实验方案 | 第17-23页 |
| ·实验方案的制定 | 第17-18页 |
| ·实验条件 | 第18-19页 |
| ·实验化学试剂 | 第19页 |
| ·PZT感光溶胶的配制 | 第19-23页 |
| ·以有机锆源为原料配制PZT光敏性溶胶 | 第20页 |
| ·以无机锆源为原料配制PZT光敏性溶胶 | 第20-23页 |
| 3 PZT微阵列图形的制备 | 第23-37页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·实验方法 | 第23-27页 |
| ·紫外光掩模照射法制备PZT薄膜微阵列图形 | 第23-24页 |
| ·激光干涉法制备PZT薄膜微阵列图形 | 第24-26页 |
| ·双光束双曝光激光干涉法制备PZT薄膜微阵列图形 | 第24-25页 |
| ·四光束激光干涉法制备PZT薄膜微阵列图形 | 第25-26页 |
| ·采用溶胶-凝胶模板法制备PZT微阵列图形 | 第26-27页 |
| ·ZrO2二维格子的制备 | 第26页 |
| ·以ZrO_2二维格子为模板制备PZT微阵列图形 | 第26-27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-35页 |
| ·PZT凝胶薄膜的紫外感光特性分析 | 第27-29页 |
| ·实验结果及微细加工工艺的影响因素 | 第29-34页 |
| ·紫外光照对PZT薄膜铁电性能的影响 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 4 微阵列格点铁电性能的研究 | 第37-53页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·电滞回线 | 第37-39页 |
| ·电滞回线原理 | 第37-38页 |
| ·电滞回线的测试方法 | 第38-39页 |
| ·PZT微阵列格点铁电性的能测试 | 第39-46页 |
| ·基于原子力显微技术的PZT薄膜铁电性能的研究 | 第40-43页 |
| ·基于原子力显微技术的PZT微阵列格点的铁电性能研究 | 第43-46页 |
| ·紫外光掩模照射法制备的PZT微阵列格点的铁电性能 | 第43-44页 |
| ·激光干涉法制备的PZT微阵列格点的铁电性能 | 第44-45页 |
| ·采用溶胶-凝胶模板法制备PZT微阵列格点的铁电性能 | 第45-46页 |
| ·结果分析与讨论 | 第46-48页 |
| ·探索改进的铁电性能测试技术 | 第48-51页 |
| ·溶胶-凝胶工艺制备PZT微阵列格点顶电极 | 第48-49页 |
| ·微阵列格点尺寸对顶电极制备的影响 | 第49-50页 |
| ·制备顶电极后微阵列格点的铁电性能 | 第50-51页 |
| ·结论与存在问题 | 第51-53页 |
| 5 结论 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 附录 攻读学位期间发表的论文目录 | 第60页 |
