| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 引言 | 第9-15页 |
| ·SiCGe薄膜概述 | 第9-14页 |
| ·SiCGe外延合金薄膜的生长方法 | 第9-10页 |
| ·Si上SiCGe外延薄膜 | 第10-12页 |
| ·SiC上SiCGe外延薄膜 | 第12-14页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第14-15页 |
| 2 设备与工艺 | 第15-22页 |
| ·热壁CVD生长设备 | 第15-19页 |
| ·供气系统 | 第15-16页 |
| ·反应室及加热装置 | 第16-18页 |
| ·真空机组及真空检测系统 | 第18页 |
| ·水循环系统 | 第18页 |
| ·温度控制系统 | 第18-19页 |
| ·尾气处理系统 | 第19页 |
| ·SiC衬底上外延生长SiCGe薄膜的生长工艺 | 第19-22页 |
| 3 SiCGe薄膜的生长机理分析 | 第22-31页 |
| ·SiCGe薄膜CVD生长的动力学和热力学探讨 | 第22-25页 |
| ·SiCGe薄膜CVD生长的动力学 | 第22-23页 |
| ·SiCGe薄膜CVD生长的热力学 | 第23-25页 |
| ·薄膜的表面形核与生长 | 第25-27页 |
| ·形核与生长的概念 | 第25页 |
| ·影响形核与生长的因素 | 第25-27页 |
| ·异质外延薄膜生长三种模式 | 第27-28页 |
| ·SiCGe薄膜生长的基本物化过程 | 第28-31页 |
| 4 薄膜特性与生长机理 | 第31-47页 |
| ·SiCGe样品的岛状特征和生长温度的关系 | 第31-41页 |
| ·生长温度不同的SiCGe薄膜的SEM测试结果 | 第31-32页 |
| ·生长温度不同的SiCGe薄膜的TEM测试结果 | 第32-37页 |
| ·球形岛和三角型层状堆叠岛的机理分析 | 第37-41页 |
| ·SiCGe样品的岛状特征和源气体流量的关系 | 第41-44页 |
| ·SiCGe样品的岛状特征和GeH_4流量的关系 | 第41-43页 |
| ·SiCGe样品的岛状特征和C_3H_8流量的关系 | 第43-44页 |
| ·SiCGe样品的岛状特征和生长时间的关系 | 第44-47页 |
| 5 结束语 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 在校学习期间所发表的论文 | 第52页 |