| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·前言 | 第10-11页 |
| ·基于Ⅱ-Ⅵ族化合物的无机/有机杂化半导体材料 | 第11-16页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族无机/有机杂化半导体的结构和特性 | 第11-13页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族无机/有机杂化半导体的研究进展 | 第13-16页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子点 | 第16-19页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子点的特性 | 第16页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子点的制备方法 | 第16-19页 |
| ·油相法 | 第16-18页 |
| ·水相法 | 第18-19页 |
| ·本课题的提出、主要研究内容与创新之处 | 第19-22页 |
| ·本课题的提出 | 第19-20页 |
| ·本课题的研究内容 | 第20-21页 |
| ·本课题的创新点 | 第21-22页 |
| 第二章 基于Ⅱ-Ⅵ族化合物的无机/有机杂化半导体的光电性能研究 | 第22-60页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·实验方法及表征手段 | 第22-24页 |
| ·实验所需仪器及药品 | 第22-23页 |
| ·实验步骤 | 第23-24页 |
| ·2D-[Zn_2S_2(ha)]的合成及表征 | 第23页 |
| ·掺杂2D-[Zn_2S_2(ha)] | 第23-24页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第24-58页 |
| ·Cd掺杂2D-[Zn_(2-2x)Cd_(2x)S_2(ha)]无机/有机杂化半导体 | 第24-32页 |
| ·Mn掺杂2D-[Zn_(2-2y)Mn_(2y)S_2(ha)]无机/有机杂化半导体 | 第32-37页 |
| ·Cd与Mn共掺杂2D-[Zn_(2-2x-2y)Cd_(2x)Mn_(2y)S_2(ha)]无机/有机杂化半导体 | 第37-58页 |
| ·Cd与Mn共掺杂总含量为15mol% | 第37-45页 |
| ·Cd与Mn共掺杂总含量为20mol% | 第45-52页 |
| ·Cd与Mn共掺杂总含量为25mol% | 第52-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第三章 水相CDTE/CDSE核壳量子点 | 第60-73页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·实验方法和表征手段 | 第60-62页 |
| ·实验所需仪器及药品 | 第60-61页 |
| ·实验步骤 | 第61-62页 |
| ·NaHTe(Se)的合成 | 第61页 |
| ·CdTe量子点的合成 | 第61-62页 |
| ·CdSe壳的制备 | 第62页 |
| ·量子点固体样品的提取 | 第62页 |
| ·量子点的表征 | 第62页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第62-71页 |
| ·量子点光学性能 | 第62-69页 |
| ·CdSe单层包覆的CdTe/CdSe核壳量子点 | 第63-64页 |
| ·CdSe多层包覆的CdTe/CdSe核壳量子点 | 第64-66页 |
| ·CdSe单层包覆与多层包覆的CdTe/CdSe核壳量子点荧光性能比较 | 第66页 |
| ·荧光寿命 | 第66-69页 |
| ·量子点结构表征 | 第69-71页 |
| ·XRD分析 | 第69-70页 |
| ·SEM观测 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-83页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 附件 | 第85页 |
