栅氧退化效应下SRAM软错误分析与加固技术研究

摘要	第1-9页
ABSTRACT	第9-10页
第一章 绪论	第10-26页
·课题背景	第10-18页
·软错误来源	第10-14页
·软错误与栅氧退化效应	第14-17页
·应用需求	第17-18页
·相关研究	第18-23页
·可靠性问题研究	第18-20页
·模拟分析方法研究	第20-23页
·论文的主要工作	第23-24页
·论文的组织结构	第24-26页
第二章 物理因素相关的可靠性问题	第26-34页
·热载流子注入效应	第26-27页
·负偏压温度不稳定效应	第27-28页
·栅氧退化效应	第28-31页
·总结	第31-34页
第三章 栅氧退化效应下软错误分析	第34-44页
·问题提出	第34-35页
·模型解析	第35-40页
·基本模型	第35-37页
·数学推导	第37-40页
·模拟分析	第40-43页
·栅氧退化与软错误率的关系	第40-42页
·不同工艺下栅氧退化的影响	第42-43页
·小结	第43-44页
第四章 栅氧退化效应下电压对软错误的影响	第44-52页
·问题背景	第44页
·趋势分析	第44页
·模拟验证	第44-50页
·同一工艺水平下模拟	第44-47页
·不同工艺水平下模拟	第47-50页
·小结	第50-52页
第五章 抗栅氧退化效应的软错误加固方法研究	第52-62页
·加固方法	第52-55页
·电路原理	第55-59页
·10T 单元加固方法	第55-56页
·耦合电容加固方法	第56-57页
·基于稳定结构的加固方法	第57-59页
·模拟仿真	第59-61页
·小结	第61-62页
第六章 结束语	第62-64页
·工作总结	第62页
·工作展望	第62-64页
致谢	第64-66页
参考文献	第66-71页
作者在学期间取得的学术成果	第71页