碳化硅高温压力传感器设计与工艺实验研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 主要符号对照表 | 第8-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-19页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·现实需求 | 第9页 |
| ·硅微压力传感器的局限 | 第9-10页 |
| ·高温微压力传感器的新发展 | 第10-13页 |
| ·高温压力传感器新技术 | 第10-11页 |
| ·SiC 材料介绍 | 第11-13页 |
| ·SiC 高温压力传感器 | 第13-18页 |
| ·国外研究现状 | 第14-17页 |
| ·国内研究现状 | 第17-18页 |
| ·课题研究目标、内容与论文结构 | 第18-19页 |
| 第2章 压力传感器原理与芯片设计 | 第19-27页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·压阻式传感器基本原理 | 第19-20页 |
| ·圆膜变形理论 | 第20页 |
| ·6H-SiC 压阻片布置 | 第20-23页 |
| ·压力芯片设计 | 第23-26页 |
| ·芯片尺寸与性能估算 | 第23-24页 |
| ·电阻条尺寸设计 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 工艺、封装与版图设计 | 第27-39页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·SiC 压力芯片工艺设计 | 第27-30页 |
| ·MEMS 工艺流程 | 第27-29页 |
| ·工艺难点 | 第29-30页 |
| ·传感器封装设计 | 第30-36页 |
| ·封装要求与问题 | 第30页 |
| ·封装方案 | 第30-32页 |
| ·ANSYS 应力仿真 | 第32-36页 |
| ·版图设计 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 SiC 压力传感器关键工艺与实验 | 第39-71页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·6H-SiC 同质外延掺杂 | 第40-45页 |
| ·晶体缺陷与外延工艺意义 | 第40-41页 |
| ·外延理论 | 第41-43页 |
| ·外延实验与测试 | 第43-45页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第44页 |
| ·二次离子质谱测试 | 第44-45页 |
| ·SiC 的干法体刻蚀技术 | 第45-59页 |
| ·SiC 体刻蚀技术简介 | 第45-47页 |
| ·等离子体刻蚀 | 第47-49页 |
| ·SiC 等离子体刻蚀设备 | 第49-50页 |
| ·掩膜选择与制作 | 第50-53页 |
| ·RIE 刻蚀实验 | 第53-58页 |
| ·ICP 刻蚀实验 | 第58-59页 |
| ·SiC 的欧姆接触 | 第59-67页 |
| ·欧姆接触方案选择 | 第60-61页 |
| ·比接触阻率测试方法 | 第61-62页 |
| ·测试图形工艺流程 | 第62-65页 |
| ·比接触阻率测试结果 | 第65-67页 |
| ·压阻条阻值测试 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第5章 结论 | 第71-74页 |
| ·研究内容和结果 | 第71-72页 |
| ·存在问题 | 第72页 |
| ·下一步工作 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第78页 |
