| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-32页 |
| ·高压 SOI 技术概述 | 第17-19页 |
| ·高压 SOI 纵向耐压技术 | 第19-26页 |
| ·耐压模型发展 | 第19-20页 |
| ·横向耐压技术 | 第20-22页 |
| ·纵向耐压技术 | 第22-26页 |
| ·高压 SOI 介质场增强技术 | 第26-30页 |
| ·介质场增强 ENDIF 理论及应用 | 第27页 |
| ·电荷型介质场增强技术 | 第27-28页 |
| ·薄硅层介质场增强技术与结构 | 第28-29页 |
| ·变 K 介质场增强技术与结构 | 第29-30页 |
| ·论文主要内容 | 第30-32页 |
| 第二章 电荷型 N 沟高压 SOI 新器件 | 第32-69页 |
| ·电荷型高压 SOI 器件设计技术 | 第32-35页 |
| ·n-反型电荷型高压 SOI 器件 | 第35-53页 |
| ·SBO 高压 PSOI 器件 | 第35-40页 |
| ·SBO PSOI 器件结构与工作机理 | 第36-37页 |
| ·击穿电压与结构参数的关系 | 第37-40页 |
| ·SBO CBL 高压 SOI 器件 | 第40-53页 |
| ·SBO CBL SOI 结构与机理 | 第40-43页 |
| ·耐压与结构参数的关系 | 第43-47页 |
| ·基于 SDB 技术的 SBO CBL SOI 工艺实现 | 第47-48页 |
| ·复合埋层 CBL SOI 实验 | 第48-53页 |
| ·n-混合电荷型高压 SOI 器件 | 第53-68页 |
| ·LVD N~+I SOI LDMOS 结构与机理 | 第54-65页 |
| ·LVD N~+I SOI LDMOS | 第54页 |
| ·结构参数对器件击穿特性的影响 | 第54-63页 |
| ·基于 SDB 技术的 LVD N~+I SOI 工艺流程 | 第63-65页 |
| ·PBN~+SOI LDMOS | 第65-68页 |
| ·PBN~+SOI LDMOS 结构与机理 | 第65-67页 |
| ·PBN~+SOI LDMOS 耐压特性分析 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第三章 电荷型 P 沟高压 SOI 新器件 | 第69-102页 |
| ·高压 SOI pLDMOS | 第69-70页 |
| ·高压 SOI pLDMOS 的特点 | 第69-70页 |
| ·高压 SOI pLDMOS 常规结构 | 第70页 |
| ·p-积累电荷型高压 SOI pLDMOS | 第70-75页 |
| ·ABE SOI LDMOS 结构和机理 | 第71-72页 |
| ·结构参数对器件特性的影响 | 第72-75页 |
| ·p-混合电荷型高压 SOI pLDMOS | 第75-100页 |
| ·N~+I SOI pLDMOS | 第75-96页 |
| ·N~+I SOI pLDMOS 结构与电场模型分析 | 第75-79页 |
| ·N~+I SOI LDMOS 特性分析 | 第79-83页 |
| ·N~+I SOI LDMOS 工艺实现 | 第83-84页 |
| ·埋 N 岛实验 | 第84-96页 |
| ·FBL SOI pLDMOS | 第96-100页 |
| ·FBL SOI pLDMOS 结构与机理 | 第96-97页 |
| ·耐压与比导通电阻特性分析 | 第97-100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 第四章 电荷型 SJ 高压 SOI 新器件 | 第102-134页 |
| ·功率超结器件的发展 | 第102-104页 |
| ·SB SOI SJ pLDMOS | 第104-110页 |
| ·器件结构与机理 | 第104-107页 |
| ·SJ 界面电荷平衡条件 | 第107-108页 |
| ·耐压特性分析 | 第108-110页 |
| ·T-DBL SOI SJ nLDMOS | 第110-117页 |
| ·器件结构描述 | 第111页 |
| ·耐压原理分析 | 第111-113页 |
| ·参数优化设计 | 第113-117页 |
| ·TSL SOI SJ nLDMOS | 第117-133页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第117-118页 |
| ·电场与耐压模型分析 | 第118-123页 |
| ·耐压分析与参数优化 | 第123-127页 |
| ·TSL SOI 实验制备 | 第127-133页 |
| ·结构参数对器件特性的影响 | 第127-130页 |
| ·TSL SOI LDMOS 器件制备 | 第130-131页 |
| ·实验结果与分析 | 第131-133页 |
| ·本章小结 | 第133-134页 |
| 第五章 结论 | 第134-137页 |
| ·主要结论和创新点 | 第134-136页 |
| ·有待深入研究的问题 | 第136-137页 |
| 致谢 | 第137-138页 |
| 参考文献 | 第138-147页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第147-149页 |
