氮离子注入对栅氧化层TDDB可靠性的影响

摘要	第1-5页
Abstract	第5-6页
第一章 引言	第6-13页
第一节 集成电路工艺可靠性问题概述	第6-7页
第二节 本文所述内容	第7-8页
第三节 可靠性工作的内容与数学模型	第8-13页
·可靠性的基本数学概念	第9-10页
·工艺可靠性分析中的寿命分布模型	第10-13页
第二章 栅氧可靠性测试介绍和分析	第13-22页
第一节 栅氧可靠性测试方法分类	第13-14页
第二节 TDDB的测试方法和测试结构概述	第14-18页
·TDDB的测试方法	第14-15页
·TDDB的测试结构	第15-18页
第三节 栅氧击穿的分类与测试条件	第18-22页
·栅氧击穿的分类	第18-20页
·TDDB测试条件的选取	第20-22页
第三章 栅氧TDDB的实验过程	第22-30页
第一节 实验样本的制造工艺	第22-24页
第二节 实验中TDDB可靠性测试过程	第24-30页
·试验仪器和环境的准备	第25-26页
·TDDB测试算法	第26-27页
·TDDB测试过程	第27-30页
第四章 实验结果与分析	第30-48页
第一节 TDDB测试的数据统计	第30-33页
·实验数据	第30-31页
·Well-bull分布统计	第31-33页
第二节 TDDB测试的数据分析	第33-34页
第三节 关于TDDB实验结果的机理模型	第34-47页
·TDDB机理和模型	第34-40页
·氮离子注入对TDDB的影响及机理分析	第40-41页
·氮离子注入对TDDB隧穿电子的影响及机理分析	第41-43页
·氮离子注入对界面陷阱电荷的影响及机理分析	第43-47页
第四节 结论	第47-48页
第五章 总结与展望	第48-49页
参考文献	第49-50页
致谢	第50-51页