| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·前言 | 第11-12页 |
| ·SiGe HBT及其集成电路的研究现状 | 第12-16页 |
| ·SiGe HBT的优势 | 第12-13页 |
| ·SiGe集成电路的研究现状 | 第13-16页 |
| ·低噪声放大器集成电路的研究现状 | 第16-17页 |
| ·本论文的主要工作 | 第17-18页 |
| ·论文结构及内容安排 | 第18-19页 |
| 第二章 SiGe BiCMOS工艺元件简介 | 第19-28页 |
| ·SiGe HBT晶体管 | 第19-21页 |
| ·RF CMOS | 第21-22页 |
| ·无源器件 | 第22-27页 |
| ·电阻 | 第22-23页 |
| ·电感 | 第23-25页 |
| ·电容 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 噪声理论 | 第28-39页 |
| ·噪声源 | 第28-30页 |
| ·热噪声(Thermal Noise) | 第28-29页 |
| ·冲击噪声(Shot Noise) | 第29页 |
| ·闪烁噪声(Flicker Noise) | 第29-30页 |
| ·突发噪声(Burst Noise) | 第30页 |
| ·雪崩噪声(Avalanche Noise) | 第30页 |
| ·SiGe HBT的噪声模型 | 第30-32页 |
| ·两端口网络噪声分析 | 第32-38页 |
| ·SiGe HBT的等效输入噪声模型 | 第32-35页 |
| ·SiGe HBT的两端口网络噪声分析 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 宽带低噪声放大器的设计 | 第39-66页 |
| ·低噪声放大器的性能指标 | 第39-42页 |
| ·噪声系数 | 第39-40页 |
| ·功率增益 | 第40-41页 |
| ·线性度 | 第41-42页 |
| ·各种低噪声放大器结构的比较 | 第42-46页 |
| ·传统窄带结构 | 第42-44页 |
| ·传统宽带结构 | 第44页 |
| ·新型宽带结构 | 第44-46页 |
| ·射频集成电路的设计流程 | 第46-47页 |
| ·800M—2.4GHz宽带低噪声放大器设计 | 第47-56页 |
| ·宽带低噪声放大器的结构 | 第48-51页 |
| ·宽带低噪声放大器的版图 | 第51-53页 |
| ·版图寄生参数提取及后仿真 | 第53-56页 |
| ·3.1G—10.6GHz超宽带低噪声放大器设计 | 第56-64页 |
| ·超宽带(UWB)低噪声放大器的结构 | 第57-60页 |
| ·超宽带(UWB)低噪声放大器的版图 | 第60-61页 |
| ·后仿真结果及与其它设计的比较 | 第61-64页 |
| ·静电保护(ESD)电路设计 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 芯片制造及测试结果 | 第66-71页 |
| ·MPW(多项目晶圆)简介 | 第66-68页 |
| ·800M—2.4GHz低噪声放大器芯片的测试结果 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第76页 |