MEMS后处理中体硅腐蚀的芯片保护
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·论文的背景 | 第8-11页 |
| ·本论文的工作 | 第11页 |
| ·本论文的架构 | 第11-12页 |
| 第二章 MEMS 后处理工艺 | 第12-18页 |
| ·体硅干法刻蚀 | 第12-13页 |
| ·体硅湿法刻蚀 | 第13-17页 |
| ·本论文的目标 | 第17页 |
| ·本论文的实验方案 | 第17-18页 |
| 第三章 背面腐蚀中的芯片保护 | 第18-30页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·有机胶膜的粘附理论 | 第18-20页 |
| ·化学键理论 | 第19页 |
| ·胶黏界面的表面处理 | 第19-20页 |
| ·胶黏理论小结 | 第20页 |
| ·ABS 胶膜的性质 | 第20-21页 |
| ·背面腐蚀时正面保护的工艺方案 | 第21-26页 |
| ·ABS 胶的浓度 | 第21页 |
| ·ABS 胶膜的厚度 | 第21页 |
| ·ABS 胶膜的粘附性 | 第21-23页 |
| ·ABS 胶膜的工艺处理 | 第23-24页 |
| ·ABS 胶膜在KOH 和TMAH 中的性质 | 第24页 |
| ·ABS 胶膜的去除 | 第24-26页 |
| ·ABS 胶膜的性质改进 | 第26-29页 |
| ·封接胶工艺的采用 | 第26-27页 |
| ·增强胶膜粘附性工艺的改进 | 第27页 |
| ·ABS 胶膜的光刻 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 芯片正面腐蚀中的芯片保护 | 第30-46页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·掺Si 的TMAH 溶液的相关性质 | 第31-36页 |
| ·掺Si 的TMAH 溶液的参数研究 | 第36-40页 |
| ·TMAH 溶液浓度选择 | 第36-37页 |
| ·TMAH 溶液掺入硅粉的浓度选择 | 第37-38页 |
| ·TMAH 溶液掺入过硫酸铵的浓度选择 | 第38-40页 |
| ·掺硅的TMAH 溶液的横向腐蚀特性 | 第40-42页 |
| ·正面腐蚀时芯片的版图设计 | 第42-44页 |
| ·小结 | 第44-46页 |
| 第五章 MEMS 后处理保护方案的工艺应用 | 第46-54页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·压阻式压力传感器 | 第46-48页 |
| ·压阻式压力传感器的基本原理 | 第46页 |
| ·压阻式压力传感器的结构设计 | 第46-47页 |
| ·压阻式压力传感器的流水与测试结果 | 第47-48页 |
| ·风速传感器的背面释放 | 第48-51页 |
| ·背面释放的风速传感器的工作原理 | 第48-49页 |
| ·风速传感器的结构和保护工艺 | 第49-50页 |
| ·背面释放后风速传感器的测试比较 | 第50-51页 |
| ·风速传感器的正面释放 | 第51-53页 |
| ·正面释放的风速传感器的结构 | 第51-52页 |
| ·风速传感器的正面释放 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第六章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 作者简介 | 第59页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第59页 |
