基于标准CMOS工艺的电压型多值逻辑电路设计
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·多值逻辑研究现状和优点 | 第8-11页 |
| ·多值逻辑研究现状 | 第8-9页 |
| ·多值逻辑优点 | 第9-11页 |
| ·多输入浮栅MOS在多值逻辑电路中的研究现状 | 第11-12页 |
| ·本文的内容安排 | 第12-13页 |
| 第二章 多输入浮栅MOS器件分析 | 第13-31页 |
| ·多输入浮栅MOS基本结构和性能分析 | 第13-20页 |
| ·多输入浮栅MOS基本结构 | 第13-15页 |
| ·多输入浮栅MOS性能分析 | 第15-17页 |
| ·多输入浮栅MOS的SPICE等效电路模型 | 第17-19页 |
| ·多输入浮栅MOS主要特点 | 第19-20页 |
| ·两个基本电路结构 | 第20-26页 |
| ·互补管基本结构 | 第21-22页 |
| ·源极跟随器 | 第22-26页 |
| ·多输入浮栅MOS可变阈值研究 | 第26-30页 |
| ·多输入浮栅MOS可变阈值特性 | 第27-28页 |
| ·互补结构可变阈值特性 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 基于开关-信号理论的MVL电路设计 | 第31-58页 |
| ·开关—信号理论基础 | 第31-34页 |
| ·三值文字电路设计 | 第34-38页 |
| ·三值反相器／缓冲器设计 | 第38-43页 |
| ·采用文字电路与CMOS传输门的反相器混和设计 | 第38-40页 |
| ·基于开关理论的反相器设计 | 第40-42页 |
| ·基于开关理论的缓冲器设计 | 第42-43页 |
| ·采用变源传输的三值与、或门电路设计 | 第43-50页 |
| ·三值与门设计 | 第44-47页 |
| ·三值或门设计 | 第47-50页 |
| ·三值T门设计 | 第50-52页 |
| ·三值编码和译码器 | 第52-57页 |
| ·译码电路 | 第52-54页 |
| ·编码电路 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 DPL结构的MVL电路设计 | 第58-82页 |
| ·双传输管逻辑 | 第58-59页 |
| ·阈值辨别电路 | 第59-60页 |
| ·静态DPL结构三值逻辑电路设计 | 第60-70页 |
| ·三值文字电路设计 | 第60-64页 |
| ·三值缓冲器／反相器设计 | 第64-66页 |
| ·三值与／与非门设计 | 第66-68页 |
| ·三值或／或非门设计 | 第68-70页 |
| ·动态DPL结构三值逻辑电路设计 | 第70-80页 |
| ·三值文字电路设计 | 第71-74页 |
| ·三值缓冲器／反相器设计 | 第74-76页 |
| ·三值与／与非门设计 | 第76-78页 |
| ·三值或／或非门设计 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 总结与展望 | 第82-83页 |
| ·全文总结 | 第82页 |
| ·下一步工作及展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-88页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89页 |
