| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-30页 |
| 1．1 氮化硼的相、性质及应用 | 第8-14页 |
| 1．1．1 氮化硼的相 | 第8-9页 |
| 1．1．2 立方氮化硼的性质和应用 | 第9-12页 |
| 1．1．3 六角氮化硼的性质和应用 | 第12-14页 |
| 1．1．4 三角氮化硼和密排六角氮化硼的性质和应用 | 第14页 |
| 1．2 c-BN薄膜的合成技术 | 第14-19页 |
| 1．2．1 c-BN薄膜的研究历史和目前状况 | 第14-16页 |
| 1．2．2 c-BN薄膜的制备技术 | 第16-19页 |
| 1．2．3 c-BN薄膜的层状结构 | 第19页 |
| 1．3 c-BN薄膜的表征 | 第19-20页 |
| 1．3．1 傅立叶变换红外谱 | 第19-20页 |
| 1．3．2 X射线/电子衍射 | 第20页 |
| 1．3．3 成分分析 | 第20页 |
| 1．4 影响BN薄膜沉积的因素 | 第20-22页 |
| 1．5 c-BN薄膜的生长机制 | 第22-24页 |
| 1．5．1 溅射模型 | 第22页 |
| 1．5．2 热峰模型 | 第22-23页 |
| 1．5．3 应力模型 | 第23页 |
| 1．5．4 注入模型 | 第23-24页 |
| 1．6 c-BN薄膜研究中存在的问题 | 第24-26页 |
| 1．6．1 粘附性 | 第24-25页 |
| 1．6．2 sp~2杂化层的存在 | 第25页 |
| 1．6．3 结晶质量和生长速度 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 第二章 微波电子回旋共振CVD制备BN薄膜 | 第30-48页 |
| 2．1 引言 | 第30页 |
| 2．2 MW-ECR等离子体的性质和应用 | 第30-37页 |
| 2．2．1 等离子体的概念 | 第30-31页 |
| 2．2．2 产生等离子体的方法 | 第31页 |
| 2．2．3 等离子体的判据 | 第31页 |
| 2．2．4 微波等离子体的原理和性质 | 第31-33页 |
| 2．2．5 ECR原理 | 第33-34页 |
| 2．2．6 影响ECR等离子体密度的因素 | 第34页 |
| 2．2．7 影响ECR等离子体均匀性的因素 | 第34-35页 |
| 2．2．8 ECR等离子体中电子对微波能量的吸收 | 第35-36页 |
| 2．2．9 ECR等离子体的应用 | 第36-37页 |
| 2．2．10 ECR-CVD系统结构示意图 | 第37页 |
| 2．3 结果与讨论 | 第37-46页 |
| 2．3．1 不同分压比下制备取向h-BN薄膜 | 第38-41页 |
| 2．3．2 沉积时间对取向生长的影响 | 第41-42页 |
| 2．3．3 偏压对取向h-BN薄膜生长的影响 | 第42-44页 |
| 2．3．4 热丝辅助ECR-CVD制备c-BN薄膜 | 第44-46页 |
| 2．4 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第三章 PECVD制备取向h-BN薄膜 | 第48-58页 |
| 3．1 引言 | 第48页 |
| 3．2 PECVD原理 | 第48-51页 |
| 3．2．1 PECVD的特点和应用 | 第48-50页 |
| 3．2．2 射频PECVD | 第50页 |
| 3．2．3 沉积系统结构示意图 | 第50-51页 |
| 3．3 结果与讨论 | 第51-56页 |
| 3．3．1 样品制备 | 第51页 |
| 3．3．2 衬底温度对取向h-BN薄膜生长的影响 | 第51-53页 |
| 3．3．3 不同反应气体分压对取向h-BN薄膜生长的影响 | 第53-54页 |
| 3．3．4 高低温结合沉积BN薄膜 | 第54-55页 |
| 3．3．5 取向h-BN薄膜的AFM照片 | 第55-56页 |
| 3．4 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第四章 射频磁控溅射制备c-BN薄膜 | 第58-73页 |
| 4．1 引言 | 第58页 |
| 4．2 射频磁控溅射的原理 | 第58-64页 |
| 4．3 结果与讨论 | 第64-71页 |
| 4．3．1 样品的FTIR谱图 | 第64-65页 |
| 4．3．2 射频功率对c-BN形成的影响 | 第65-67页 |
| 4．3．3 温度对取向h-BN薄膜生长的影响 | 第67-68页 |
| 4．3．4 室温沉积c-BN薄膜 | 第68-69页 |
| 4．3．5 成分分析 | 第69-71页 |
| 4．4 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第五章 偏压对BN形核的影响 | 第73-78页 |
| 5．1 引言 | 第73页 |
| 5．2 衬底负偏压对反应活性离子数目的影响 | 第73-74页 |
| 5．3 离子轰击对衬底表面形貌和BN形核阈值能的影响 | 第74-75页 |
| 5．4 负偏压增强的离子在衬底表面的扩散 | 第75-76页 |
| 5．5 结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-78页 |
| 第六章 结论 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 发表论文 | 第81页 |
