提要 | 第1-9页 |
第一章 绪论 | 第9-36页 |
·纳米半导体材料概述 | 第9-23页 |
·引言 | 第9页 |
·纳米半导体材料的性质 | 第9-13页 |
·纳米半导体材料的光电特性 | 第13-16页 |
·纳米半导体材料的制备方法 | 第16-22页 |
·纳米半导体材料的应用 | 第22-23页 |
·半导体光催化技术概述 | 第23-27页 |
·半导体光催化氧化反应的基础理论 | 第23-25页 |
·半导体光催化活性的主要影响因素 | 第25-27页 |
·TiO_2 的基本特性 | 第27-34页 |
·TiO_2 的结构和物理特性 | 第28-29页 |
·TiO_2 的光学性质 | 第29页 |
·纳米TiO_2 的光催化特性 | 第29-34页 |
·选题意义及研究内容 | 第34-36页 |
第二章 实验材料设备及表征方法 | 第36-47页 |
·实验材料 | 第36-39页 |
·实验材料 | 第36-38页 |
·实验材料的预处理 | 第38-39页 |
·实验设备 | 第39-40页 |
·薄膜沉积系统 | 第39页 |
·光降解实验系统 | 第39-40页 |
·实验方案 | 第40-42页 |
·采用金属Ti 靶,在氧气气氛下制备纳米TiO_2 薄膜 | 第40-41页 |
·退火TiO_2 薄膜得到混晶的TiO_2 薄膜 | 第41页 |
·采用陶瓷TiO_2 靶用PLD 法制备氮掺杂的TiO_2 薄膜 | 第41页 |
·用PLD 法制备TiO_2/ ZnO 复合薄膜 | 第41-42页 |
·微观组织结构和光学性能的表征 | 第42-47页 |
·X 射线衍射(X-ray Diffraction,XRD) | 第42-43页 |
·透射电子显微镜(Transmission electron microscopy, TEM) | 第43页 |
·X 射线光电子能谱(X-Ray Photoelectric Spectrum,XPS) | 第43页 |
·场发射扫描电子显微镜(Field Emission Scanning Electron Microscope,FE-SEM) | 第43-44页 |
·薄膜厚度的测量 | 第44页 |
·紫外/可见光谱(UV/Vis Spectrum) | 第44页 |
·光致发光光谱(Photoluminscence Spectrum, PL) | 第44-45页 |
·光催化性能测试 | 第45-47页 |
第三章 纳米锐钛矿型TiO_2薄膜的制备及工艺研究 | 第47-61页 |
·引言 | 第47页 |
·结果与讨论 | 第47-59页 |
·TiO_2 薄膜的结构 | 第47-55页 |
·TiO_2 薄膜的光学性能 | 第55-59页 |
·本章小结 | 第59-61页 |
第四章 混晶TiO_2薄膜的制备及光催化机理研究 | 第61-74页 |
·引言 | 第61-62页 |
·结果与讨论 | 第62-73页 |
·XRD 分析 | 第62-63页 |
·TEM 分析 | 第63-64页 |
·XPS 分析 | 第64-65页 |
·SEM 观察 | 第65-67页 |
·光催化活性分析 | 第67-69页 |
·UV/Vis 光谱分析 | 第69-70页 |
·混晶TiO_2 薄膜的光催化机理分析 | 第70-73页 |
·本章小结 | 第73-74页 |
第五章 N 掺杂TiO_2薄膜的制备及光催化机理研究 | 第74-92页 |
·引言 | 第74-75页 |
·结果与讨论 | 第75-90页 |
·氮掺杂TiO_2 薄膜的制备和光催化机理研究 | 第75-83页 |
·N 的掺杂浓度对TiO_2?xNx 薄膜性能的影响 | 第83-90页 |
·本章小结 | 第90-92页 |
第六章 TiO_2/ZnO 纳米复合薄膜的制备及光学性质研究 | 第92-110页 |
·引言 | 第92-93页 |
·结果与讨论 | 第93-108页 |
·ZnO 薄膜的制备与研究 | 第93-103页 |
·TiO_2/ZnO 复合薄膜的制备与性质研究 | 第103-108页 |
·本章小结 | 第108-110页 |
第七章 结论 | 第110-113页 |
参考文献 | 第113-132页 |
攻博期间发表的学术论文 | 第132-134页 |
摘要 | 第134-138页 |
Abstract | 第138-143页 |
致谢 | 第143页 |