| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·多孔硅概述 | 第8-11页 |
| ·单晶硅 | 第8-10页 |
| ·多孔硅 | 第10-11页 |
| ·多孔硅的应用研究 | 第11-14页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第14-15页 |
| 第二章 多孔硅的制备方法及发光机理 | 第15-28页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第15-19页 |
| ·阳极腐蚀法 | 第15-17页 |
| ·光化学腐蚀法 | 第17-18页 |
| ·化学腐蚀法 | 第18-19页 |
| ·染色腐蚀法 | 第19页 |
| ·火花放电法 | 第19页 |
| ·水热腐蚀法 | 第19页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第19-23页 |
| ·量子限制模型 | 第20-23页 |
| ·Beale耗尽模型 | 第23页 |
| ·多孔硅的光致发光 | 第23-27页 |
| ·多孔硅的光致发光特性 | 第23-25页 |
| ·多孔硅的光致发光机理 | 第25-27页 |
| ·多孔硅的电致发光 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 多孔硅有效介电函数研究 | 第28-35页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·理论模型 | 第28-29页 |
| ·Maxwell-Garnett模型 | 第28-29页 |
| ·经验公式 | 第29页 |
| ·组分介电模型 | 第29页 |
| ·计算及讨论 | 第29-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 金属/多孔硅/硅结构发光器件输运特性的研究 | 第35-44页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·理论模型 | 第35-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-43页 |
| ·电场强度 | 第38-39页 |
| ·电场分布 | 第39-41页 |
| ·电流与电压关系 | 第41-42页 |
| ·镜像势对电流影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 钨钝化多孔硅性能研究 | 第44-51页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·实验 | 第45-50页 |
| ·样品制备仪器及其原理 | 第45页 |
| ·硅片的清洗及后处理 | 第45-46页 |
| ·检测 | 第46页 |
| ·结果和讨论 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 总结 | 第51-53页 |
| ·主要结论 | 第51页 |
| ·前景展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间所发表的论文目录 | 第61页 |