大型晶体生长系统（设备）关键技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-20页 |
| ·人工晶体生长设备的历史回顾 | 第7-9页 |
| ·半导体硅材料生长设备 | 第7-8页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料生长设备 | 第8页 |
| ·激光晶体和非线性光学晶体材料生长设备 | 第8-9页 |
| ·人工晶体生长设备的现状 | 第9-10页 |
| ·半导体硅材料生长设备 | 第9页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料生长设备 | 第9页 |
| ·激光晶体和非线性光学晶体材料生长设备 | 第9-10页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第10页 |
| ·晶体生长的主要方法与结晶过程的驱动力 | 第10-17页 |
| ·晶体生长的主要方法 | 第10-12页 |
| ·结晶过程的驱动力 | 第12-14页 |
| ·直拉法生长硅单晶的工艺过程 | 第14-17页 |
| ·CZSi中存在的主要杂质和缺陷 | 第17-19页 |
| ·CZSi中存在的主要杂质 | 第17-18页 |
| ·单晶硅的主要缺陷 | 第18-19页 |
| ·课题研究的主要内容 | 第19-20页 |
| 2 T70型单晶炉结构概述 | 第20-24页 |
| ·主要性能指标 | 第20页 |
| ·T70型单晶炉结构及性能说明 | 第20-23页 |
| ·生长炉结构及其材料参数 | 第21页 |
| ·籽晶升降旋转机构 | 第21-23页 |
| ·氩气系统及规范 | 第23-24页 |
| 3 单晶炉中提拉旋转机构动力学分析与动态响应 | 第24-37页 |
| ·概述 | 第24-28页 |
| ·作用在机械中的力 | 第24-25页 |
| ·等效质量和等效转动惯量 | 第25-26页 |
| ·动力学分析的一般方法 | 第26-28页 |
| ·提拉机构动力学分析 | 第28-34页 |
| ·力学模型的建立 | 第28-29页 |
| ·运动微分方程 | 第29-32页 |
| ·微分方程的求解 | 第32-34页 |
| ·旋转机构的动态响应 | 第34-37页 |
| 4 单晶炉提拉机构的有限元分析及仿真 | 第37-46页 |
| ·有限元法基本简介 | 第37-38页 |
| ·什么是有限元法 | 第37页 |
| ·有限元法求解步骤 | 第37-38页 |
| ·静力学仿真 | 第38-42页 |
| ·模态分析 | 第42-46页 |
| ·模态分析概述 | 第42-43页 |
| ·仿真结果 | 第43-46页 |
| 5 炉膛中温度场的理论分析 | 第46-55页 |
| ·温度场的数学描述 | 第46页 |
| ·稳态温度场 | 第46-48页 |
| ·晶体中的温度场 | 第48-51页 |
| ·石英坩埚中的温度场 | 第51-55页 |
| 6 炉膛内的热场分析及模拟仿真 | 第55-65页 |
| ·CZSi单晶生长系统中的输运现象 | 第55-59页 |
| ·炉体内热量传输的基本规律 | 第55-56页 |
| ·与周围环境发生热量交换的基本规律 | 第56-57页 |
| ·边界条件 | 第57-58页 |
| ·结晶潜热 | 第58页 |
| ·CZSi单晶生长的减压工艺 | 第58-59页 |
| ·热场的模拟仿真 | 第59-65页 |
| ·几何模型的建立 | 第59-60页 |
| ·模拟仿真过程的简化 | 第60页 |
| ·模拟结果 | 第60-65页 |
| 7 T70型单晶炉内氩气流场的分析与模拟 | 第65-69页 |
| ·理论依据 | 第65-66页 |
| ·模拟结果 | 第66-67页 |
| ·小结 | 第67-69页 |
| 8 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 附录 | 第74页 |
