勾形磁场中直拉硅单晶的模拟与磁场参数优化
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-12页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·直拉法生长单晶现状 | 第7-8页 |
| ·勾形磁场提出 | 第8-10页 |
| ·研究意义及工作内容 | 第10-12页 |
| 2 晶体生长中熔体对流与质量输运 | 第12-18页 |
| ·晶体生长中熔体对流 | 第12-15页 |
| ·晶体生长中质量输运与分凝 | 第15-17页 |
| ·晶体生长中质量输运 | 第15-16页 |
| ·熔体对流对单晶质量影响 | 第16-17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 3 晶体生长中熔体对流形成机理分析与模拟 | 第18-31页 |
| ·晶体生长中温度场分布与温度梯度 | 第18-19页 |
| ·ANSYS软件简介 | 第19-21页 |
| ·晶体生长温度场模拟 | 第21-24页 |
| ·温度场分布与熔体对流形成机理分析 | 第24-29页 |
| ·单晶炉温度场分布 | 第25-27页 |
| ·熔体对流形成机理分析 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 4 勾形磁场参数分析与优化 | 第31-55页 |
| ·磁场对熔体对流的抑制 | 第31-32页 |
| ·单晶炉勾形磁场模拟 | 第32-35页 |
| ·ANSYS磁场分析简介与模型建立 | 第32-33页 |
| ·模型分析与验证 | 第33-35页 |
| ·勾形磁场参数分析与优化 | 第35-47页 |
| ·勾形磁场分布分析 | 第35-37页 |
| ·线圈参数分析与优化 | 第37-42页 |
| ·磁屏蔽体结构参数分析与优化 | 第42-45页 |
| ·勾形磁场装置电学参数分析与优化 | 第45-47页 |
| ·勾形磁场装置工程实现 | 第47-53页 |
| ·设计指标 | 第47页 |
| ·磁场设计方案 | 第47-50页 |
| ·勾形磁场装置设计图纸 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 5 结论与展望 | 第55-57页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| ·展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第61页 |
