| 中文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·宽禁带半导体紫外探测器概述 | 第14-18页 |
| ·宽禁带半导体紫外探测器 | 第14-15页 |
| ·宽禁带半导体紫外探测器的结构 | 第15-17页 |
| ·宽禁带半导体紫外探测器的应用 | 第17页 |
| ·宽禁带半导体紫外探测器的研究现状 | 第17-18页 |
| ·GaN、SiC材料的基本性质和优势 | 第18-26页 |
| ·GaN材料的基本性质和优势 | 第18-21页 |
| ·SiC材料的基本性质和优势 | 第21-26页 |
| ·本论文的主要工作及创新 | 第26-31页 |
| ·本论文的主要工作 | 第26-28页 |
| ·本论文的主要创新点 | 第28-29页 |
| ·本论文的研究意义 | 第29-31页 |
| 第二章 MSM结构紫外探测器的仿真研究 | 第31-53页 |
| ·MSM结构紫外探测器的工作原理 | 第31-34页 |
| ·MSM结构探测器的主要参数 | 第34-36页 |
| ·光谱响应特性 | 第34-35页 |
| ·光电响应度 | 第35页 |
| ·量子效率 | 第35-36页 |
| ·响应时间 | 第36页 |
| ·物理模型 | 第36-39页 |
| ·GaN紫外探测器特性的仿真与分析 | 第39-42页 |
| ·GaN材料参数库的建立 | 第39-40页 |
| ·器件结构 | 第40页 |
| ·仿真结果与分析 | 第40-42页 |
| ·4H-SiC MSM结构紫外探测器特性的仿真与分析 | 第42-51页 |
| ·4H-SiC材料参数库的建立 | 第42页 |
| ·器件结构 | 第42-43页 |
| ·仿真结果与分析 | 第43-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第三章 材料制备及特性表征 | 第53-77页 |
| ·材料的生长技术 | 第53-60页 |
| ·GaN材料的生长技术 | 第53-57页 |
| ·SiC材料的生长技术 | 第57-60页 |
| ·材料特性的表征方法 | 第60-63页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第60-61页 |
| ·原子力显微镜 | 第61页 |
| ·X射线衍射 | 第61-62页 |
| ·拉曼散射光谱 | 第62-63页 |
| ·AlGaN/GaN材料的特性表征 | 第63-70页 |
| ·AlGaN/GaN材料的制备 | 第64-65页 |
| ·AlGaN/GaN材料的测试与分析 | 第65-70页 |
| ·4H-SiC外延材料的特性表征 | 第70-75页 |
| ·4H-SiC外延材料 | 第70页 |
| ·4H-SiC外延材料的测试与分析 | 第70-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第四章 AlGaN/GaN、4H-SiC欧姆接触的研究 | 第77-93页 |
| ·欧姆接触的理论研究 | 第77-79页 |
| ·欧姆接触的测试方法 | 第79-83页 |
| ·线性传输线模型 | 第79-81页 |
| ·圆形传输线模型 | 第81-82页 |
| ·测试方法的比较 | 第82-83页 |
| ·AlGaN/GaN欧姆接触的研究 | 第83-88页 |
| ·实验 | 第83-85页 |
| ·结果与分析 | 第85-88页 |
| ·结论 | 第88页 |
| ·4H-SiC欧姆接触的研究 | 第88-91页 |
| ·实验 | 第88-89页 |
| ·结果与分析 | 第89-91页 |
| ·结论 | 第91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 AlGaN/GaN、4H-SiC肖特基接触的研究 | 第93-109页 |
| ·肖特基接触的理论分析 | 第94-97页 |
| ·肖特基势垒的形成 | 第94-95页 |
| ·肖特基势垒的电流输运机制 | 第95-97页 |
| ·AlGaN/GaN肖特基接触的研究 | 第97-104页 |
| ·实验 | 第97-99页 |
| ·结果与分析 | 第99-103页 |
| ·结论 | 第103-104页 |
| ·4H-SiC肖特基接触的研究 | 第104-108页 |
| ·实验 | 第104-106页 |
| ·结果与分析 | 第106-108页 |
| ·结论 | 第108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 第六章 MSM结构紫外探测器的研制 | 第109-121页 |
| ·AlGaN/GaN紫外探测器的制备 | 第109-112页 |
| ·AlGaN/GaN紫外探测器的特性分析 | 第112-116页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性 | 第112-114页 |
| ·光谱响应特性 | 第114-115页 |
| ·响应度 | 第115-116页 |
| ·结论 | 第116页 |
| ·4H-SiC紫外探测器的制备 | 第116-118页 |
| ·4H-SiC紫外探测器的特性与分析 | 第118-120页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性 | 第118-119页 |
| ·光谱响应特性 | 第119-120页 |
| ·结论 | 第120页 |
| ·本章小结 | 第120-121页 |
| 第七章 结束语 | 第121-123页 |
| 致谢 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-165页 |
| 攻读博士学位期间的有关研究成果 | 第165-167页 |
