| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-12页 |
| ·静电放电问题 | 第10页 |
| ·制程改进对静电放电的影响 | 第10-11页 |
| ·静电的可利用之处与危害 | 第11-12页 |
| 第二章 静电放电概述及测试 | 第12-26页 |
| ·静电的成因 | 第12-13页 |
| ·静电放电破坏机制 | 第13-18页 |
| ·人体放电模型 | 第13-15页 |
| ·机器放电模型 | 第15-16页 |
| ·元件充电模型 | 第16-17页 |
| ·电场感应模型 | 第17-18页 |
| ·静电损伤的失效模式及机理 | 第18-19页 |
| ·静电损伤的失效模式 | 第18页 |
| ·静电损伤的失效机理 | 第18-19页 |
| ·静电放电测试程序 | 第19-22页 |
| ·静电的测试方法 | 第22-23页 |
| ·静电放电测试的判定标准 | 第23页 |
| ·静电放电测试结果的判断 | 第23-26页 |
| 第三章 静电放电保护电路基本元件 | 第26-42页 |
| ·电阻 | 第26-27页 |
| ·二极管 | 第27-29页 |
| ·双极型晶体管 | 第29-31页 |
| ·金属氧化物半导体场效应晶体管 | 第31-35页 |
| ·ESD 作用下的晶体管的工作 | 第35-38页 |
| ·可控硅（SCR） | 第38-42页 |
| 第四章 静电放电保护电路概念和策略 | 第42-50页 |
| ·有效的ESD 保护电路的质量 | 第43-46页 |
| ·ESD 保护设计方法 | 第46-50页 |
| 第五章 CMOS 集成电路的静电防护技术 | 第50-63页 |
| ·制程上的改进方法 | 第52-55页 |
| ·元件上的改进方法 | 第55-60页 |
| ·横向LSCR 器件 | 第55-57页 |
| ·互补LVTSCR 结构设计 | 第57-58页 |
| ·大电流触发SCRHITSCR 和高保持电压SCRHVTSCR | 第58-60页 |
| ·电路上的改进方法 | 第60-63页 |
| ·栅极耦合（Gate-Couple）技术 | 第60-62页 |
| ·互补式栅极耦合静电放电保护电路 | 第62-63页 |
| 第六章 全芯片防护设计 | 第63-76页 |
| ·内部电路异常损伤问题 | 第63-69页 |
| ·ESD | 第63-65页 |
| ·脚对脚的ESD 测试 | 第65-67页 |
| ·VDD 脚对VSS 脚的ESD 测试 | 第67-69页 |
| ·VDD 与VSS 之间的ESD 防护 | 第69-74页 |
| ·VDD 与VSS 之间的寄生元件 | 第69-70页 |
| ·先进的防护技术 | 第70-74页 |
| ·先进制程的影响 | 第74-76页 |
| 第七章 测量结果分析 | 第76-88页 |
| ·电路结构 | 第76-77页 |
| ·版图结构 | 第77页 |
| ·测试结果 | 第77-78页 |
| ·测试结果分析 | 第78-88页 |
| ·DIODE | 第78-80页 |
| ·NMOS | 第80-85页 |
| ·LVSCR(Low-Voltage Semiconductor Control Rectifier) | 第85-88页 |
| 第八章 结论及今后的工作 | 第88-90页 |
| ·结论 | 第88-89页 |
| ·今后的工作 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第93-94页 |
| 个人简历 | 第94-95页 |