| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 场发射材料的研究背景及意义 | 第8页 |
| 1.2 场发射 | 第8-10页 |
| 1.3 场发射的几个相关概念 | 第10-11页 |
| 1.3.1 功函数 | 第10页 |
| 1.3.2 电子亲和势及电离能 | 第10-11页 |
| 1.3.3 场增强因子 | 第11页 |
| 1.4 主要场发射材料研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4.1 金属材料 | 第11页 |
| 1.4.2 硅材料 | 第11-12页 |
| 1.4.3 碳纳米管 | 第12页 |
| 1.4.4 宽带隙半导体材料 | 第12页 |
| 1.5 GaN纳米材料场发射特性 | 第12-14页 |
| 1.5.1 GaN材料简介 | 第12-13页 |
| 1.5.2 GaN纳米材料场发射研究进展 | 第13-14页 |
| 1.6 选题目的和主要研究内容 | 第14-16页 |
| 2 第一性原理研究Te掺杂GaN纳米线 | 第16-28页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第16-19页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi-Dirac均匀电子气模型 | 第16-17页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn非均匀电子气模型 | 第17页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第17-18页 |
| 2.1.4 局域密度近似和广义梯度近似 | 第18-19页 |
| 2.2 Materials Visualizer及VASP介绍 | 第19页 |
| 2.3 模型构建及计算方法 | 第19-20页 |
| 2.3.1 模型构建 | 第19-20页 |
| 2.3.2 计算方法 | 第20页 |
| 2.4 结果分析 | 第20-26页 |
| 2.4.1 形成能及结合能 | 第20-22页 |
| 2.4.2 能带结构及局域电荷分布 | 第22-24页 |
| 2.4.3 态密度 | 第24-25页 |
| 2.4.4 功函数、电离能及电子亲和势 | 第25-26页 |
| 2.5 结论 | 第26-28页 |
| 3 Te掺杂GaN纳米线的制备及场发射特性研究 | 第28-44页 |
| 3.1 实验方法及设备 | 第28页 |
| 3.2 实验过程 | 第28-31页 |
| 3.2.1 Si衬底上Pt催化剂的制备 | 第29-30页 |
| 3.2.2 Te掺杂GaN纳米线的制备 | 第30-31页 |
| 3.3 样品的表征与分析 | 第31-40页 |
| 3.3.1 样品的表征方法 | 第31-32页 |
| 3.3.2 Ga_2O_3和Te质量比对纳米线的影响 | 第32-36页 |
| 3.3.3 反应温度对纳米线的影响 | 第36-39页 |
| 3.3.4 Te掺杂GaN纳米线的Raman分析 | 第39-40页 |
| 3.4 Te掺杂GaN纳米线的场发射特性 | 第40-43页 |
| 3.5 结论 | 第43-44页 |
| 4 结论与展望 | 第44-46页 |
| 4.1 本文的主要结论 | 第44页 |
| 4.2 展望 | 第44-46页 |
| 致谢 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 附录 | 第54页 |
