高倍增半绝缘GaAs光电导开关触发光电阈值特性的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 PCSS的发展历程 | 第8-12页 |
| 1.2 PCSS国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 光电导开关的应用前景 | 第14-16页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第16-17页 |
| 1.5 本章小结 | 第17-18页 |
| 2 GaAs PCSS的基本结构及应用 | 第18-28页 |
| 2.1 半绝缘GaAs材料的性质 | 第18-20页 |
| 2.1.1 物理化学性质 | 第18-19页 |
| 2.1.2 能带结构 | 第19-20页 |
| 2.1.3 GaAs半导体性质 | 第20页 |
| 2.2 PCSS的结构及种类 | 第20-21页 |
| 2.3 光电导开关的工作模式 | 第21-25页 |
| 2.3.1 线性工作模式 | 第22-23页 |
| 2.3.2 高倍增工作模式 | 第23-25页 |
| 2.4 高倍增工作模式的几种基本模型 | 第25-27页 |
| 2.4.1 光激发电荷畴理论模型 | 第25页 |
| 2.4.2 高密度碰撞电离理论 | 第25-26页 |
| 2.4.3 双流子注入模型 | 第26页 |
| 2.4.4 流注模型 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 锁定效应的形成机理和分析 | 第28-34页 |
| 3.1 Lock-on效应的理论分析 | 第28-29页 |
| 3.1.1 Lock-on效应的物理机制 | 第28-29页 |
| 3.1.2 强电场下PCSS的非线性特性 | 第29页 |
| 3.2 光激发电荷畴的形成过程 | 第29-32页 |
| 3.2.1 载流子吸收机制 | 第29-32页 |
| 3.2.2 光激发电荷畴的形成 | 第32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 4 半绝缘GaAs PCSS的光电阈值特性 | 第34-52页 |
| 4.1光电阈值特性实验 | 第34-37页 |
| 4.1.1 实验测试电路 | 第34页 |
| 4.1.2 开关结构 | 第34-37页 |
| 4.2 理论分析 | 第37-40页 |
| 4.2.1 成畴条件 | 第37-38页 |
| 4.2.2 稳态畴的形成与计算 | 第38-40页 |
| 4.3 光电阈值特性的计算研究 | 第40-50页 |
| 4.3.1 产生电子数的计算 | 第40页 |
| 4.3.2 畴宽的模拟与计算 | 第40-47页 |
| 4.3.3 光电阈值特性产生机理分析 | 第47-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 5 结论与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 结论 | 第52页 |
| 5.2 展望 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
