高精度AZ厚胶光刻及其在射频同轴传输线制作中应用
摘要 | 第2-3页 |
Abstract | 第3-4页 |
1 绪论 | 第8-15页 |
1.1 课题背景及研究意义 | 第8页 |
1.2 正性厚胶光刻研究现状 | 第8-12页 |
1.2.1 改进光刻工艺 | 第9-10页 |
1.2.2 改善光强分布均匀性 | 第10-11页 |
1.2.3 改进光刻设备及光刻算法 | 第11页 |
1.2.4 改变光刻胶的组分 | 第11-12页 |
1.3 微型射频同轴传输线的研究现状 | 第12-14页 |
1.4 课题研究内容 | 第14-15页 |
2 单次曝光显影法对AZ50XT胶光刻精度的影响 | 第15-27页 |
2.1 光化学反应机理 | 第15-16页 |
2.2 光吸收系数测量 | 第16-17页 |
2.3 尺寸精度分析 | 第17-20页 |
2.3.1 光吸收系数 | 第17-18页 |
2.3.2 胶膜厚度不均匀 | 第18-19页 |
2.3.3 光的衍射 | 第19-20页 |
2.4 单次曝光显影实验 | 第20-25页 |
2.4.1 光刻工艺流程 | 第20-21页 |
2.4.2 单次曝光显影实验 | 第21-23页 |
2.4.3 实验结果及分析 | 第23-25页 |
2.5 本章小结 | 第25-27页 |
3 分次曝光显影法改善光刻图形尺寸精度 | 第27-46页 |
3.1 分次曝光显影改善光刻精度原理 | 第27-28页 |
3.2 分次曝光显影法工艺要点 | 第28-31页 |
3.2.1 胶膜厚度控制 | 第28-29页 |
3.2.2 背面对准法 | 第29-31页 |
3.3 分次曝光显影实验 | 第31-33页 |
3.3.1 第二次光刻时曝光剂量对光刻精度的影响 | 第31-32页 |
3.3.2 掩膜图形尺寸对光刻精度的影响 | 第32页 |
3.3.3 前烘时间对光刻精度的影响 | 第32-33页 |
3.4 实验结果及分析 | 第33-39页 |
3.4.1 第二次曝光剂量对光刻精度的影响 | 第33-34页 |
3.4.2 掩膜图形尺寸对光刻精度的影响 | 第34-36页 |
3.4.3 前烘时间对光刻精度的影响 | 第36-38页 |
3.4.4 两种曝光方法实验结果比较 | 第38-39页 |
3.5 光强仿真及分析 | 第39-44页 |
3.5.1 标量衍射的角谱理论 | 第39-40页 |
3.5.2 光强仿真模型 | 第40-42页 |
3.5.3 仿真结果及分析 | 第42-44页 |
3.6 本章小结 | 第44-46页 |
4 微型射频同轴传输线及其一体化制作 | 第46-68页 |
4.1 微型射频同轴线结构组成及工作原理 | 第46-47页 |
4.2 微型射频同轴传输线的传输特性 | 第47-50页 |
4.2.1 特性阻抗 | 第47-48页 |
4.2.2 回波损耗和传输损耗 | 第48-49页 |
4.2.3 工作频率 | 第49-50页 |
4.3 材料选择 | 第50-54页 |
4.3.1 内、外导体的材料选择 | 第50-51页 |
4.3.2 绝缘介质材料的选择 | 第51-52页 |
4.3.3 支撑体材料的选择 | 第52-53页 |
4.3.4 牺牲层材料的选择 | 第53-54页 |
4.4 加工工艺方案确定 | 第54-55页 |
4.4.1 制作方案 | 第54页 |
4.4.2 正、负胶膜制作顺序 | 第54-55页 |
4.5 微型射频同轴传输线的制作流程 | 第55-60页 |
4.5.1 背面对准标记点的制作 | 第56页 |
4.5.2 支撑体的制作 | 第56-57页 |
4.5.3 第一层侧壁的制作 | 第57-58页 |
4.5.4 传输线第二层至第四层结构制作 | 第58-59页 |
4.5.5 释放结构 | 第59-60页 |
4.6 制作难点 | 第60-65页 |
4.6.1 制作精度问题 | 第60-62页 |
4.6.2 内导体与支撑体结合不牢 | 第62-63页 |
4.6.3 胶膜去除效果检测 | 第63-65页 |
4.7 制作误差分析 | 第65-67页 |
4.7.1 尺寸误差补偿 | 第65页 |
4.7.2 内导体及介质腔体的制作误差 | 第65-67页 |
4.8 本章小结 | 第67-68页 |
结论 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-74页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第74-75页 |
致谢 | 第75-77页 |