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高精度AZ厚胶光刻及其在射频同轴传输线制作中应用

摘要第2-3页
Abstract第3-4页
1 绪论第8-15页
    1.1 课题背景及研究意义第8页
    1.2 正性厚胶光刻研究现状第8-12页
        1.2.1 改进光刻工艺第9-10页
        1.2.2 改善光强分布均匀性第10-11页
        1.2.3 改进光刻设备及光刻算法第11页
        1.2.4 改变光刻胶的组分第11-12页
    1.3 微型射频同轴传输线的研究现状第12-14页
    1.4 课题研究内容第14-15页
2 单次曝光显影法对AZ50XT胶光刻精度的影响第15-27页
    2.1 光化学反应机理第15-16页
    2.2 光吸收系数测量第16-17页
    2.3 尺寸精度分析第17-20页
        2.3.1 光吸收系数第17-18页
        2.3.2 胶膜厚度不均匀第18-19页
        2.3.3 光的衍射第19-20页
    2.4 单次曝光显影实验第20-25页
        2.4.1 光刻工艺流程第20-21页
        2.4.2 单次曝光显影实验第21-23页
        2.4.3 实验结果及分析第23-25页
    2.5 本章小结第25-27页
3 分次曝光显影法改善光刻图形尺寸精度第27-46页
    3.1 分次曝光显影改善光刻精度原理第27-28页
    3.2 分次曝光显影法工艺要点第28-31页
        3.2.1 胶膜厚度控制第28-29页
        3.2.2 背面对准法第29-31页
    3.3 分次曝光显影实验第31-33页
        3.3.1 第二次光刻时曝光剂量对光刻精度的影响第31-32页
        3.3.2 掩膜图形尺寸对光刻精度的影响第32页
        3.3.3 前烘时间对光刻精度的影响第32-33页
    3.4 实验结果及分析第33-39页
        3.4.1 第二次曝光剂量对光刻精度的影响第33-34页
        3.4.2 掩膜图形尺寸对光刻精度的影响第34-36页
        3.4.3 前烘时间对光刻精度的影响第36-38页
        3.4.4 两种曝光方法实验结果比较第38-39页
    3.5 光强仿真及分析第39-44页
        3.5.1 标量衍射的角谱理论第39-40页
        3.5.2 光强仿真模型第40-42页
        3.5.3 仿真结果及分析第42-44页
    3.6 本章小结第44-46页
4 微型射频同轴传输线及其一体化制作第46-68页
    4.1 微型射频同轴线结构组成及工作原理第46-47页
    4.2 微型射频同轴传输线的传输特性第47-50页
        4.2.1 特性阻抗第47-48页
        4.2.2 回波损耗和传输损耗第48-49页
        4.2.3 工作频率第49-50页
    4.3 材料选择第50-54页
        4.3.1 内、外导体的材料选择第50-51页
        4.3.2 绝缘介质材料的选择第51-52页
        4.3.3 支撑体材料的选择第52-53页
        4.3.4 牺牲层材料的选择第53-54页
    4.4 加工工艺方案确定第54-55页
        4.4.1 制作方案第54页
        4.4.2 正、负胶膜制作顺序第54-55页
    4.5 微型射频同轴传输线的制作流程第55-60页
        4.5.1 背面对准标记点的制作第56页
        4.5.2 支撑体的制作第56-57页
        4.5.3 第一层侧壁的制作第57-58页
        4.5.4 传输线第二层至第四层结构制作第58-59页
        4.5.5 释放结构第59-60页
    4.6 制作难点第60-65页
        4.6.1 制作精度问题第60-62页
        4.6.2 内导体与支撑体结合不牢第62-63页
        4.6.3 胶膜去除效果检测第63-65页
    4.7 制作误差分析第65-67页
        4.7.1 尺寸误差补偿第65页
        4.7.2 内导体及介质腔体的制作误差第65-67页
    4.8 本章小结第67-68页
结论第68-70页
参考文献第70-74页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第74-75页
致谢第75-77页

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