| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 石墨烯材料简介 | 第10-13页 |
| 1.2 光子辅助电子输运及Fano共振效应 | 第13-15页 |
| 1.3 研究方法 | 第15-21页 |
| 1.3.1 Floquet定理 | 第15-16页 |
| 1.3.2 传递矩阵 | 第16-19页 |
| 1.3.3 散射矩阵 | 第19-21页 |
| 第二章 周期双阱势中无质量的Dirac电子的输运性质 | 第21-40页 |
| 2.1 引言 | 第21-22页 |
| 2.2 模型及哈密顿量 | 第22-23页 |
| 2.3 运用Floquet理论求解含时双阱区域波函数 | 第23-26页 |
| 2.4 势垒区域波函数的构造 | 第26页 |
| 2.5 利用波函数连续性条件构造S矩阵 | 第26-33页 |
| 2.6 数值结果与分析 | 第33-39页 |
| 2.7 小结 | 第39-40页 |
| 第三章 磁场调制下光子辅助有质量的Dirac电子的Fano型共振隧穿 | 第40-53页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 模型及公式 | 第41-45页 |
| 3.3 数值结果及讨论 | 第45-51页 |
| 3.4 小结 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 硕士期间发表论文 | 第62页 |