| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10-14页 |
| 1.1.1 锗半导体材料概述 | 第10-11页 |
| 1.1.2 锗半导体薄膜的分类 | 第11-14页 |
| 1.1.2.1 单晶锗薄膜 | 第12页 |
| 1.1.2.2 多晶锗薄膜 | 第12页 |
| 1.1.2.3 非晶锗薄膜 | 第12-13页 |
| 1.1.2.4 锗合金与锗化合物薄膜 | 第13-14页 |
| 1.2 多晶锗薄膜的性质及应用 | 第14页 |
| 1.2.1 多晶锗薄膜的性质 | 第14页 |
| 1.2.2 多晶锗薄膜的应用 | 第14页 |
| 1.3 多晶锗薄膜的常用制备方法 | 第14-22页 |
| 1.3.1 磁控溅射法 | 第15页 |
| 1.3.2 分子束外延法(MBE) | 第15-16页 |
| 1.3.3 等离子体增强化学气相沉积法(PECVD) | 第16页 |
| 1.3.4 脉冲激光沉积法(PLD) | 第16-22页 |
| 1.3.4.1 脉冲激光沉积的发展历程及现状 | 第16-17页 |
| 1.3.4.2 脉冲激光沉积的基本原理 | 第17-20页 |
| 1.3.4.3 脉冲激光沉积的特点 | 第20-21页 |
| 1.3.4.4 脉冲激光沉积的应用 | 第21-22页 |
| 1.4 多晶锗薄膜的研究进展和现状 | 第22-24页 |
| 1.5 研究目的与内容 | 第24-25页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第24页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第24-25页 |
| 第2章 实验方案及表征方法 | 第25-35页 |
| 2.1 实验设备概述 | 第25-26页 |
| 2.2 实验材料 | 第26-28页 |
| 2.2.1 靶材 | 第26-27页 |
| 2.2.2 衬底的选择及预处理 | 第27-28页 |
| 2.3 实验参数的选择 | 第28-30页 |
| 2.3.1 气氛压力 | 第28页 |
| 2.3.2 衬底温度 | 第28-29页 |
| 2.3.3 脉冲能量 | 第29页 |
| 2.3.4 激光脉冲频率 | 第29页 |
| 2.3.5 沉积时间 | 第29-30页 |
| 2.4 实验工艺流程 | 第30-31页 |
| 2.5 实验方案制定 | 第31-32页 |
| 2.6 实验表征手段 | 第32-35页 |
| 2.6.1 扫描电子显微镜 | 第32页 |
| 2.6.2 能谱仪分析 | 第32页 |
| 2.6.3 椭圆偏振光法 | 第32-33页 |
| 2.6.4 激光拉曼光谱法 | 第33-34页 |
| 2.6.5 X射线衍射分析 | 第34-35页 |
| 第3章 工艺参数对锗薄膜质量的影响 | 第35-58页 |
| 3.1 气氛压力 | 第35-42页 |
| 3.1.1 气氛压力对锗薄膜表面形貌的影响 | 第35-39页 |
| 3.1.2 气氛压力对锗薄膜沉积速率的影响 | 第39-40页 |
| 3.1.3 气氛压力对锗薄膜结构的影响 | 第40-42页 |
| 3.2 衬底温度 | 第42-46页 |
| 3.2.1 衬底温度对锗薄膜表面形貌的影响 | 第42-43页 |
| 3.2.2 衬底温度对锗薄膜沉积速率的影响 | 第43页 |
| 3.2.3 衬底温度对锗薄膜结构的影响 | 第43-46页 |
| 3.3 脉冲能量 | 第46-50页 |
| 3.3.1 脉冲能量对锗薄膜表面形貌的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.2 脉冲能量对锗薄膜沉积速率的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.3 脉冲能量对锗薄膜结构的影响 | 第48-50页 |
| 3.4 激光脉冲频率 | 第50-54页 |
| 3.4.1 激光脉冲频率对锗薄膜表面形貌的影响 | 第50-51页 |
| 3.4.2 激光脉冲频率对锗薄膜沉积速率的影响 | 第51-52页 |
| 3.4.3 激光脉冲频率对锗薄膜结构的影响 | 第52-54页 |
| 3.5 沉积时间 | 第54-57页 |
| 3.5.1 沉积时间对锗薄膜表面形貌的影响 | 第54-55页 |
| 3.5.2 沉积时间对锗薄膜沉积速率的影响 | 第55-56页 |
| 3.5.3 沉积时间对锗薄膜结构的影响 | 第56-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 退火处理对锗薄膜的影响 | 第58-66页 |
| 4.1 退火处理方法和应用 | 第58-59页 |
| 4.2 退火温度对锗薄膜的影响 | 第59-63页 |
| 4.2.1 不同温度退火后锗薄膜的表面形貌分析 | 第59-61页 |
| 4.2.2 不同温度退火后锗薄膜的拉曼光谱分析 | 第61-62页 |
| 4.2.3 不同温度退火后锗薄膜的XRD图谱分析 | 第62-63页 |
| 4.3 退火时间对锗薄膜的影响 | 第63-65页 |
| 4.3.1 不同退火时间锗薄膜的拉曼光谱分析 | 第63-64页 |
| 4.3.2 不同退火时间锗薄膜的XRD图谱分析 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第5章 结论与创新点 | 第66-68页 |
| 5.1 结论 | 第66-67页 |
| 5.2 创新点 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
| 攻读硕士学位期间拟发表的论文 | 第76页 |