| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 Cu_2O薄膜的性质与应用 | 第13-14页 |
| 1.2.1 Cu_2O的基本性质 | 第13-14页 |
| 1.2.2 Cu_2O的应用 | 第14页 |
| 1.3 Cu_2O薄膜的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 实验设备与测试方法 | 第18-26页 |
| 2.1 主要实验设备 | 第18-21页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积 | 第18-20页 |
| 2.1.2 等离子体处理设备 | 第20-21页 |
| 2.1.3 退火设备 | 第21页 |
| 2.2 薄膜测试方法 | 第21-26页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD)测试方法 | 第21-22页 |
| 2.2.2 拉曼光谱(Raman Spectra)测试方法 | 第22-23页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM)测试 | 第23页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱(XPS)测试 | 第23页 |
| 2.2.5 光学性质测试 | 第23-24页 |
| 2.2.6 电学性质测试 | 第24-26页 |
| 第三章 氮等离子体处理对Cu_2O薄膜性质的影响 | 第26-36页 |
| 3.1 Cu_2O薄膜的制备及氮等离子体处理工艺 | 第26-27页 |
| 3.2 氮等离子体处理对Cu_2O薄膜物相、结构和形貌的影响 | 第27-30页 |
| 3.3 氮等离子体处理对Cu_2O薄膜成分的影响 | 第30-32页 |
| 3.4 氮等离子体处理对Cu_2O薄膜光学性质的影响 | 第32-33页 |
| 3.5 氮等离子体处理对Cu_2O薄膜电学性质的影响 | 第33-35页 |
| 3.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 真空退火处理对Cu_2O薄膜性质的影响 | 第36-46页 |
| 4.1 Cu_2O薄膜的制备及真空退火处理工艺 | 第36-37页 |
| 4.2 真空退火处理对Cu_2O薄膜结构和形貌的影响 | 第37-40页 |
| 4.3 真空退火处理对Cu_2O薄膜成分的影响 | 第40-42页 |
| 4.4 真空退火处理对Cu_2O薄膜光学性质的影响 | 第42-43页 |
| 4.5 真空退火处理对Cu_2O薄膜电学性能的影响 | 第43-44页 |
| 4.6 本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 Zn掺杂对Cu_2O薄膜性质的影响 | 第46-52页 |
| 5.1 Zn掺杂Cu_2O薄膜的制备 | 第46-47页 |
| 5.2 Zn掺杂对Cu_2O薄膜物相和成分的影响 | 第47-48页 |
| 5.3 Zn掺杂对Cu_2O薄膜光学性质的影响 | 第48-49页 |
| 5.4 Zn掺杂对Cu_2O薄膜电学性能的影响 | 第49-51页 |
| 5.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文情况 | 第64-66页 |
| Paper 1 | 第66-72页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第72页 |
