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金属基底传感器用SiO2绝缘薄膜缺陷形成机理的研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第10-19页
    1.1 课题研究的背景及意义第10-11页
    1.2 绝缘薄膜的发展现状第11-13页
        1.2.1 Al_2O_3绝缘薄膜第11页
        1.2.2 SiO_2绝缘薄膜第11-12页
        1.2.3 SiN_x薄膜第12页
        1.2.4 AlN_x薄膜第12-13页
    1.3 SiO_2绝缘薄膜的优点第13-15页
    1.4 SiO_2薄膜的制备方法第15-18页
        1.4.1 蒸发法第15-16页
        1.4.2 溅射法第16-17页
        1.4.3 化学气相沉积法第17页
        1.4.4 溶胶—凝胶法第17-18页
    1.5 本文主要研究内容及组织结构第18-19页
第二章 磁控溅射镀膜理论与表征方法第19-31页
    2.1 磁控溅射镀膜沉积技术简介第19-20页
    2.2 JZFZJ-500S型高真空多功能复合镀膜机设备介绍第20-22页
        2.2.1 设备的工作原理及特征第20-21页
        2.2.2 设备的基本结构形式第21-22页
    2.3 SiO_2薄膜性能表征方法第22-28页
        2.3.1 X射线衍射仪(XRD)第23页
        2.3.2 透射电子显微镜(TEM)第23-24页
        2.3.3 原子力显微镜(AFM)第24-26页
        2.3.4 台阶仪第26-27页
        2.3.5 高阻计第27-28页
    2.4 薄膜的制备过程第28-30页
        2.4.1 SiO_2薄膜的制备流程第28-29页
        2.4.2 Al电极薄膜的制备流程第29-30页
    2.5 本章小结第30-31页
第三章 SiO_2薄膜绝缘性能及其缺陷形成机理的分析第31-42页
    3.1 基底表面不同粗糙度对SiO_2薄膜的绝缘性研究第31-35页
        3.1.1 Si片的表面处理第31-33页
        3.1.2 引脚的制备第33-34页
        3.1.3 实验第34-35页
    3.2 对沉积不同时间的SiO_2薄膜绝缘性能的研究第35-37页
        3.2.1 实验第35-36页
        3.2.2 对沉积不同时间SiO_2薄膜绝缘性能分析第36-37页
    3.3 对SiO_2薄膜绝缘失效的分析第37-41页
    3.4 本章小结第41-42页
第四章 磁控溅射制备高绝缘SiO_2薄膜的实验研究第42-62页
    4.1 多次重复间歇式沉积对SiO_2薄膜绝缘性的影响第42-49页
        4.1.1 通过LabView自动控制直流脉冲电源的开关第42-44页
        4.1.2 实验第44页
        4.1.3 SiO_2薄膜绝缘性的表征第44-45页
        4.1.4 引线连接工艺第45-46页
        4.1.5 多次重复间歇式沉积对SiO_2薄膜绝缘性能研究第46-49页
    4.2 在相同时间内进行不同周期SiO_2薄膜的制备第49-56页
        4.2.1 利用步进电机的往复运动实现不同的周期第49-51页
        4.2.2 实验第51-52页
        4.2.3 不同周期对SiO_2薄膜绝缘性能研究第52-53页
        4.2.4 对SiO_2薄膜生长机理的研究第53-56页
    4.3 通过不同周期制备不同时间的SiO_2薄膜第56-58页
        4.3.1 实验第56-57页
        4.3.2 不同周期下沉积不同时间的SiO_2薄膜绝缘性能研究第57-58页
    4.4 通过不同周期进行多次重复间歇式制备SiO_2薄膜第58-60页
        4.4.1 实验第58-59页
        4.4.2 不同周期下进行多次重复间歇式沉积的Si02薄膜绝缘性能研究第59-60页
    4.5 本章小结第60-62页
第五章 SiO_2薄膜绝缘层在薄膜传感器中的应用第62-73页
    5.1 SiO_2薄膜绝缘层在NiCr/NiSi薄膜热电偶中的应用第62-68页
        5.1.1 NiCr/NiSi薄膜热电偶的制备第62-63页
        5.1.2 NiCr/NiSi薄膜热电偶的标定第63-65页
        5.1.3 NiCr/NiSi薄膜热电偶测温刀片的铣削实验及结果分析第65-68页
    5.2 SiO_2薄膜绝缘层在ITO薄膜应变计中的应用第68-72页
        5.2.1 ITO薄膜应变计的制备第68-70页
        5.2.2 ITO薄膜应变计的性能测试第70-72页
    5.3 本章小结第72-73页
结论与展望第73-75页
参考文献第75-78页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第78页
攻读硕士学位期间申请发明专利情况第78-79页
致谢第79页

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