| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第10-22页 |
| 1.1 低维纳米材料 | 第10-12页 |
| 1.1.1 纳米材料的发展史 | 第10-11页 |
| 1.1.2 纳米材料的优越性 | 第11-12页 |
| 1.2 稀释磁性半导体 | 第12-18页 |
| 1.2.1 稀磁半导体的发展 | 第12-14页 |
| 1.2.2 二维稀磁半导体 | 第14-18页 |
| 1.3 类磷烯材料—二维GeS | 第18-20页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 研究方法简介 | 第22-29页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第22-26页 |
| 2.2.1 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第22-24页 |
| 2.2.2 Ho henberg-Kohn定理 | 第24页 |
| 2.2.3 Kohn- Sham方程 | 第24-25页 |
| 2.2.4 交换关联函数 | 第25-26页 |
| 2.3 电子自旋 | 第26-27页 |
| 2.4 第一性原理方法 | 第27页 |
| 2.5 计算软件程序介绍 | 第27-29页 |
| 第3章 过渡金属掺杂单层GeS的磁性研究 | 第29-42页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 计算模型与方法 | 第30页 |
| 3.3 GeS的晶格结构 | 第30-31页 |
| 3.4 过渡金属掺杂单层GeS的磁性研究 | 第31-40页 |
| 3.4.1 TM吸附单层GeS | 第31-36页 |
| 3.4.2 过渡金属原子替位Ge掺杂单层GeS的磁性研究 | 第36-40页 |
| 3.5 本章结论 | 第40-42页 |
| 第4章 过渡金属掺杂单层GeS电场调制研究 | 第42-50页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 模型与方法 | 第42-43页 |
| 4.3 TM@GeS磁性的电场调制研究 | 第43-49页 |
| 4.4 本章结论 | 第49-50页 |
| 第5章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 总结 | 第50页 |
| 5.2 展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 个人简历、在学期间完成的论文和科研情况 | 第59页 |