| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 铁电材料和铁电存储器 | 第9-12页 |
| 1.1.1 铁电材料 | 第9-10页 |
| 1.1.2 铁电存储器 | 第10-11页 |
| 1.1.3 研究进展 | 第11页 |
| 1.1.4 铁电存储器存在的问题 | 第11-12页 |
| 1.2 铁电场效应晶体管(FeFET) | 第12-13页 |
| 1.2.1 FeFET的基本原理 | 第12页 |
| 1.2.2 FeFET的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 残余应力的作用 | 第13-14页 |
| 1.4 界面效应的影响 | 第14页 |
| 1.5 本文的选题依据及主要内容 | 第14-16页 |
| 第2章 FeFET相场模型的基本建立 | 第16-25页 |
| 2.1 FeFET的相场模型 | 第16-17页 |
| 2.2 铁电畴的模拟 | 第17-20页 |
| 2.3 残余应力对铁电薄膜的影响 | 第20-23页 |
| 2.3.1 残余应力的引入 | 第20页 |
| 2.3.2 残余应力作用下铁电畴的演化 | 第20-22页 |
| 2.3.3 残余应力对薄膜铁电性的影响 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-25页 |
| 第3章 残余应力对FeFET电学性能的影响 | 第25-34页 |
| 3.1 FeFET的器件方程 | 第25-26页 |
| 3.2 残余应力对FeFET中薄膜铁电性的影响 | 第26-28页 |
| 3.2.1 残余压应力FeFET中薄膜铁电性的影响 | 第26-27页 |
| 3.2.2 残余拉应力FeFET中薄膜铁电性的影响 | 第27-28页 |
| 3.3 残余压应力对FeFET电学性能的影响 | 第28-30页 |
| 3.3.1 残余压应力对P-V曲线的影响 | 第28页 |
| 3.3.2 残余压应力对C-V曲线的影响 | 第28-29页 |
| 3.3.3 残余压应力对I-V曲线的影响 | 第29-30页 |
| 3.3.4 残余压应力对保持性的影响 | 第30页 |
| 3.4 残余拉应力对FeFET电学性能的影响 | 第30-33页 |
| 3.4.1 残余拉应力对P-V曲线的影响 | 第31页 |
| 3.4.2 残余拉应力对C-V曲线的影响 | 第31-32页 |
| 3.4.3 残余拉应力对I-V曲线的影响 | 第32-33页 |
| 3.4.4 残余拉应力对保持性的影响 | 第33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 界面效应对FeFET电学性能的影响 | 第34-45页 |
| 4.1 电场对FeFET电学性能的影响 | 第34-37页 |
| 4.1.1 电场对MFIS结构中薄膜铁电性的影响 | 第34页 |
| 4.1.2 电场对FeFET的P-V曲线的影响 | 第34-35页 |
| 4.1.3 电场对FeFET的C-V曲线的影响 | 第35页 |
| 4.1.4 电场对FeFET的I-V曲线的影响 | 第35-36页 |
| 4.1.5 电场对FeFET的保持性的影响 | 第36-37页 |
| 4.2 界面电场对FeFET电学性能的影响 | 第37-40页 |
| 4.2.1 界面电场对MFIS结构中薄膜铁电性的影响 | 第37-38页 |
| 4.2.2 界面电场对FeFET的P-V曲线的影响 | 第38页 |
| 4.2.3 界面电场对FeFET的C-V曲线的影响 | 第38-39页 |
| 4.2.4 界面电场对FeFET的I-V曲线的影响 | 第39-40页 |
| 4.2.5 界面电场对FeFET的保持性的影响 | 第40页 |
| 4.3 界面应变对FeFET电学性能的影响 | 第40-44页 |
| 4.3.1 界面应变对MFIS结构中薄膜铁电性的影响 | 第40-41页 |
| 4.3.2 界面应变对FeFET的P-V曲线的影响 | 第41-42页 |
| 4.3.3 界面应变对FeFET的C-V曲线的影响 | 第42页 |
| 4.3.4 界面应变对FeFET的I-V曲线的影响 | 第42-43页 |
| 4.3.5 界面应变对FeFET的保持性的影响 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 总结与展望 | 第45-47页 |
| 5.1 论文总结 | 第45页 |
| 5.2 论文展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 个人简历及成果发表情况 | 第54页 |
