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大功率相干半导体激光列阵原理与实现方法的分析

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第1章 绪论第11-13页
   ·论文研究背景第11页
   ·论文的主要研究内容、主要结论和论文结构安排第11-13页
     ·研究内容及主要结论第11-12页
     ·论文的结构安排第12-13页
第2章 相干激光列阵目标参数、基本原理和观测方法第13-35页
   ·大功率相干激光列阵目标参数的确定第13-20页
     ·高功率高亮激光应用的普遍要求第13-17页
     ·激光相干探测对激光器的相干参数的要求第17-20页
   ·相干激光列阵的原理、形成条件和基本性质第20-23页
     ·光束相干原理、形成条件和基本性质第20-21页
     ·激光的时空相干性和相干列阵的形成条件第21-23页
   ·激光相干性的描述第23-31页
     ·时空相干度和可见度第23-25页
     ·相干态与相干激光的光子统计特征第25-28页
     ·相干激光及其列阵的光场模式和传播特性第28-31页
   ·相干列阵几个关键参数的实验测量原理和装置第31-34页
     ·频率线宽的测量第31页
     ·相干度和单元间相对相位差的测量第31-34页
   ·本章小结第34-35页
第3章 大功率相干列阵的极限分析及方案选取第35-67页
   ·半导体激光相干列阵实现方案的整体分析第35-40页
     ·研究目标及整体分析第35-37页
     ·频率和相位锁定技术及相干列阵方案归纳第37-39页
     ·普遍工艺困难第39-40页
   ·频率线宽压缩技术及理论极限分析第40-44页
     ·单元激光器的线宽极限第40-41页
     ·频率线宽极限分析和实现大功率相干半导体激光列阵的建议.第41-44页
   ·主要激光相干列阵方案和相关技术的研究进展分析第44-65页
     ·主从种子注入锁相相干技术第44-47页
     ·光栅(及其他衍射光学元件)外腔相干耦合技术第47-48页
     ·共振外腔相干及光泵激光芯片的耦合技术第48-52页
     ·渐逝场耦合锁相相干列阵第52-54页
     ·反波导锁相相干列阵第54-55页
     ·掩埋隧道结锁相相干列阵第55-57页
     ·光子晶体垂直腔面发射激光相干列阵第57-58页
     ·金属栅格反射相位调制技术第58-60页
     ·相位校正器变换相干类型技术第60-61页
     ·表面等离子体调相和光束聚焦技术第61-63页
     ·面发射分布反馈(SE-DFB)激光器锁相相干列阵第63-65页
   ·本章小结第65-67页
第4章 面发射分布反馈激光器第67-81页
   ·SE-DFB的原理和结构第67-69页
   ·曲线光栅SE-DFB激光器的性能特点及参数比较第69-71页
   ·SE-DFB的发展历程和研究现状第71-76页
     ·最初的发展第71-72页
     ·百家争鸣第72-73页
     ·列阵的实现和主要问题的解决第73-76页
     ·进入市场第76页
   ·简单的理论解释和列阵造型改进方案探讨第76-77页
   ·其他相关报道及研究方向讨论第77-79页
   ·本章小结第79-81页
第5章 面发射分布反馈激光器光学性能分析及器件优化第81-90页
   ·器件结构设计及研究背景第81-82页
   ·光学性能理论分析第82-89页
     ·基本方程第82-83页
     ·参数定义第83-84页
     ·数值计算及结果分析第84-89页
   ·本章小结第89-90页
第6章 SE-DFB器件及其相干列阵性能的进一步优化第90-98页
   ·采用非矩形光栅第90-91页
   ·闭环监控系统的整体构想第91-93页
   ·相关理论依据第93-96页
     ·增益区仿真和器件闭环设计第93-96页
     ·超快动态特性和非有源区仿真理论第96页
   ·关于搭建通用半导体激光器仿真设计平台的构想第96-98页
第7章 结 论第98-102页
   ·内容总结第98-99页
   ·课题未来的研究工作第99-100页
   ·后记第100-102页
参考文献第102-122页
在学期间学术成果情况第122-123页
指导教师及作者简介第123-124页
致谢第124-125页

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