摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-13页 |
·论文研究背景 | 第11页 |
·论文的主要研究内容、主要结论和论文结构安排 | 第11-13页 |
·研究内容及主要结论 | 第11-12页 |
·论文的结构安排 | 第12-13页 |
第2章 相干激光列阵目标参数、基本原理和观测方法 | 第13-35页 |
·大功率相干激光列阵目标参数的确定 | 第13-20页 |
·高功率高亮激光应用的普遍要求 | 第13-17页 |
·激光相干探测对激光器的相干参数的要求 | 第17-20页 |
·相干激光列阵的原理、形成条件和基本性质 | 第20-23页 |
·光束相干原理、形成条件和基本性质 | 第20-21页 |
·激光的时空相干性和相干列阵的形成条件 | 第21-23页 |
·激光相干性的描述 | 第23-31页 |
·时空相干度和可见度 | 第23-25页 |
·相干态与相干激光的光子统计特征 | 第25-28页 |
·相干激光及其列阵的光场模式和传播特性 | 第28-31页 |
·相干列阵几个关键参数的实验测量原理和装置 | 第31-34页 |
·频率线宽的测量 | 第31页 |
·相干度和单元间相对相位差的测量 | 第31-34页 |
·本章小结 | 第34-35页 |
第3章 大功率相干列阵的极限分析及方案选取 | 第35-67页 |
·半导体激光相干列阵实现方案的整体分析 | 第35-40页 |
·研究目标及整体分析 | 第35-37页 |
·频率和相位锁定技术及相干列阵方案归纳 | 第37-39页 |
·普遍工艺困难 | 第39-40页 |
·频率线宽压缩技术及理论极限分析 | 第40-44页 |
·单元激光器的线宽极限 | 第40-41页 |
·频率线宽极限分析和实现大功率相干半导体激光列阵的建议. | 第41-44页 |
·主要激光相干列阵方案和相关技术的研究进展分析 | 第44-65页 |
·主从种子注入锁相相干技术 | 第44-47页 |
·光栅(及其他衍射光学元件)外腔相干耦合技术 | 第47-48页 |
·共振外腔相干及光泵激光芯片的耦合技术 | 第48-52页 |
·渐逝场耦合锁相相干列阵 | 第52-54页 |
·反波导锁相相干列阵 | 第54-55页 |
·掩埋隧道结锁相相干列阵 | 第55-57页 |
·光子晶体垂直腔面发射激光相干列阵 | 第57-58页 |
·金属栅格反射相位调制技术 | 第58-60页 |
·相位校正器变换相干类型技术 | 第60-61页 |
·表面等离子体调相和光束聚焦技术 | 第61-63页 |
·面发射分布反馈(SE-DFB)激光器锁相相干列阵 | 第63-65页 |
·本章小结 | 第65-67页 |
第4章 面发射分布反馈激光器 | 第67-81页 |
·SE-DFB的原理和结构 | 第67-69页 |
·曲线光栅SE-DFB激光器的性能特点及参数比较 | 第69-71页 |
·SE-DFB的发展历程和研究现状 | 第71-76页 |
·最初的发展 | 第71-72页 |
·百家争鸣 | 第72-73页 |
·列阵的实现和主要问题的解决 | 第73-76页 |
·进入市场 | 第76页 |
·简单的理论解释和列阵造型改进方案探讨 | 第76-77页 |
·其他相关报道及研究方向讨论 | 第77-79页 |
·本章小结 | 第79-81页 |
第5章 面发射分布反馈激光器光学性能分析及器件优化 | 第81-90页 |
·器件结构设计及研究背景 | 第81-82页 |
·光学性能理论分析 | 第82-89页 |
·基本方程 | 第82-83页 |
·参数定义 | 第83-84页 |
·数值计算及结果分析 | 第84-89页 |
·本章小结 | 第89-90页 |
第6章 SE-DFB器件及其相干列阵性能的进一步优化 | 第90-98页 |
·采用非矩形光栅 | 第90-91页 |
·闭环监控系统的整体构想 | 第91-93页 |
·相关理论依据 | 第93-96页 |
·增益区仿真和器件闭环设计 | 第93-96页 |
·超快动态特性和非有源区仿真理论 | 第96页 |
·关于搭建通用半导体激光器仿真设计平台的构想 | 第96-98页 |
第7章 结 论 | 第98-102页 |
·内容总结 | 第98-99页 |
·课题未来的研究工作 | 第99-100页 |
·后记 | 第100-102页 |
参考文献 | 第102-122页 |
在学期间学术成果情况 | 第122-123页 |
指导教师及作者简介 | 第123-124页 |
致谢 | 第124-125页 |