基于少层ReS2/单层MoS2—Ⅰ型异质结的高性能晶体管及光电探测器
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 二维半导体材料简介 | 第9-17页 |
| 1.1.1 引言 | 第9页 |
| 1.1.2 二维过渡金属硫族化合物(TMDs) | 第9-12页 |
| 1.1.3 二硫化钼(MoS_2) | 第12-13页 |
| 1.1.4 二硫化铼(ReS_2) | 第13-14页 |
| 1.1.5 ReS_2/MoS_2异质结 | 第14-17页 |
| 1.2 二维材料器件研究进展 | 第17-20页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管 | 第17-19页 |
| 1.2.2 光电探测器 | 第19-20页 |
| 1.3 二维材料器件理论基础 | 第20-27页 |
| 1.3.1 异质结 | 第20-22页 |
| 1.3.2 光电效应 | 第22-23页 |
| 1.3.3 场效应晶体管 | 第23-25页 |
| 1.3.4 密度泛函理论 | 第25-27页 |
| 1.4 本文的选题依据和研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 实验材料与器件制备 | 第29-37页 |
| 2.1 实验所需仪器 | 第29页 |
| 2.2 器件的制备与转移 | 第29-31页 |
| 2.2.1 材料的制备 | 第29-30页 |
| 2.2.2 器件的制备 | 第30-31页 |
| 2.3 器件的表征 | 第31-35页 |
| 2.3.1 显微表征 | 第31-33页 |
| 2.3.2 拉曼表征 | 第33-34页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱分析 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 基于异质结的器件研究 | 第37-47页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 薄膜晶体管 | 第37-40页 |
| 3.2.1 输出特性 | 第37-39页 |
| 3.2.2 转移特性 | 第39-40页 |
| 3.3 光电探测器 | 第40-45页 |
| 3.3.1 光电特性 | 第40-43页 |
| 3.3.2 噪声特性 | 第43-44页 |
| 3.3.3 性能对比 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 能带结构分析与机理解释 | 第47-53页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 能带结构分析及计算 | 第47-49页 |
| 4.3 电荷密度计算 | 第49-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 总结和展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 个人简历 | 第65-67页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第67页 |
