| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 课题背景 | 第10页 |
| 1.2 纳米孔测序的发展历程与亟待解决的问题 | 第10-14页 |
| 1.2.1 纳米孔测序的发展 | 第10-13页 |
| 1.2.2 纳米孔测序亟待解决的问题 | 第13-14页 |
| 1.3 光诱导介电泳(ODEP)理论知识及技术运用 | 第14-15页 |
| 1.3.1 介电泳的基础理论 | 第14-15页 |
| 1.3.2 光诱导介电泳(ODEP)的研究与应用 | 第15页 |
| 1.4 常用薄膜制备技术 | 第15-17页 |
| 1.5 本文的研究内容与技术路线 | 第17-19页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第17-18页 |
| 1.5.2 论文结构与设计路线 | 第18-19页 |
| 第二章 氢化非晶硅的理论及制备表征法 | 第19-27页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 氢化非晶硅薄膜结构 | 第19-22页 |
| 2.2.1 氢化非晶硅的Si原子网络结构 | 第19-20页 |
| 2.2.2 氢原子的成键模式与微结构 | 第20-22页 |
| 2.3 氢化非晶硅的光电性能 | 第22-23页 |
| 2.4 a-Si:H的磁控溅射(MSPVD)制备 | 第23-24页 |
| 2.5 薄膜性能表征方法及测试原理 | 第24-26页 |
| 2.5.1 原子力显微镜法 | 第24页 |
| 2.5.2 拉曼光谱法(Raman) | 第24-25页 |
| 2.5.3 傅里叶变换红外光谱法(FTIR) | 第25页 |
| 2.5.4 氢化非晶硅薄膜的电学性能测量 | 第25-26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 实验设计及工艺与薄膜微结构究 | 第27-35页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 实验设计 | 第27-28页 |
| 3.2.1 实验材料及薄膜制备设备 | 第27页 |
| 3.2.2 实验的前处理 | 第27-28页 |
| 3.2.3 磁控溅射的实验过程 | 第28页 |
| 3.2.4 薄膜制备结束后处理 | 第28页 |
| 3.3 溅射功率对薄膜的影响 | 第28-31页 |
| 3.3.1 溅射功率对薄膜溅射速率的影响 | 第29-30页 |
| 3.3.2 溅射功率对薄膜表面形貌的影响 | 第30-31页 |
| 3.4 沉积气压对薄膜的影响 | 第31-33页 |
| 3.4.1 沉积气压对沉积速率的影响 | 第32页 |
| 3.4.2 氢气分压对薄膜表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| 3.5 基片温度对沉积a-Si:H薄膜的影响 | 第33-34页 |
| 3.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 薄膜硼轻掺杂与电学特性研究 | 第35-41页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 不同含量硼掺杂对薄膜结构的影响 | 第35-36页 |
| 4.3 不同含量硼掺杂对薄膜电学性能的影响 | 第36-38页 |
| 4.3.1 硼掺杂与电导率的关系 | 第36-38页 |
| 4.3.2 不同硼掺杂下薄膜的亮暗电导比 | 第38页 |
| 4.4 氢化非晶硅薄膜的不稳定性 | 第38-40页 |
| 4.4.1 光照对薄膜电学性质的影响 | 第38-39页 |
| 4.4.2 薄膜表面氧化对薄膜电学性能的影响 | 第39页 |
| 4.4.3 温度对薄膜电学特性的影响 | 第39-40页 |
| 4.5 本章总结 | 第40-41页 |
| 第五章 氮化硅纳米孔制备与DNA过孔实验研究 | 第41-52页 |
| 5.1 引言 | 第41页 |
| 5.2 纳米孔的制造 | 第41-45页 |
| 5.2.1 氮化硅薄膜芯片设计制造 | 第42-43页 |
| 5.2.2 基于FIB的纳米孔制造 | 第43-45页 |
| 5.3 纳米孔的离子电流测量及理论分析 | 第45-49页 |
| 5.4 基于氮化硅纳米孔的DNA过孔实验研究 | 第49-51页 |
| 5.4.1 实验注意事项 | 第49页 |
| 5.4.2 氮化硅纳米孔检测48kb的λ-DNA研究 | 第49-51页 |
| 5.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 光诱导芯片的有限元分析研究 | 第52-58页 |
| 6.1 引言 | 第52页 |
| 6.2 有限元模型的建立与网格划分 | 第52-54页 |
| 6.3 基本属性与边界条件的设定 | 第54-55页 |
| 6.4 模型求解与分析 | 第55-57页 |
| 6.5 本章总结 | 第57-58页 |
| 第七章 总结与展望 | 第58-59页 |
| 7.1 全文总结 | 第58页 |
| 7.2 研究工作展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及专利 | 第63页 |