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铁电忆阻器在神经形态应用的研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
引言第15-16页
第一章 绪论第16-38页
    1.1 忆阻器简介第16-31页
        1.1.1 忆阻器的定义第16-17页
        1.1.2 基于不同物理机制的忆阻器第17-21页
        1.1.3 基于忆阻器的人工突触仿生应用第21-31页
    1.2 铁电忆阻器第31-36页
        1.2.1 铁电材料第31-34页
        1.2.2 新型电阻型铁电存储器第34-35页
        1.2.3 铁电忆阻器第35-36页
    1.3 本文的研究意义和内容第36-38页
第二章 实验设备第38-44页
    2.1 薄膜的制备与表征方法第38-41页
        2.1.1 脉冲激光沉积技术(PulseLaserDeposition,PLD)第38-39页
        2.1.2 原子力显微镜(AtomicForceMicroscope,AFM)第39页
        2.1.3 X射线衍射(X-RayDiffraction,XRD)第39-40页
        2.1.4 压电力显微镜(PiezoelectricForceMicroscope,PFM)第40-41页
    2.2 器件加工与测试平台第41-43页
        2.2.1 微加工流程简介第41-42页
        2.2.2 电学测试平台简介第42-43页
    2.3 本章小结第43-44页
第三章 BaTiO_3/SrRuO_3/SrTiO_3异质结构的制备及器件电学性能测试第44-55页
    3.1 BaTiO_3/SrRuO_3/SrTiO_3异质结构的制备以及性能表征第44-50页
        3.1.1 氧气压力(PO2)对BaTiO_3薄膜形貌以及相结构的影响第45-48页
        3.1.2 衬底温度(TS)对BaTiO_3薄膜形貌以及相结构的影响第48-50页
        3.1.3 BaTiO_3薄膜铁电性测试第50页
    3.2 Au/Cr/BaTiO_3/SrRuO_3/SrTiO_3器件的制备以及直流I-V测试第50-54页
        3.2.1 器件的光刻流程第51-52页
        3.2.2 器件的蒸镀以及剥离流程第52-53页
        3.2.3 Au/Cr/BaTiO_3/SrRuO_3/SrTiO_3器件的直流I-V测试第53-54页
    3.3 本章小结第54-55页
第四章 BaTiO_3/SmNiO_3/LaAlO_3异质结构的制备及器件电学性能测试第55-73页
    4.1 镍酸盐RNiO_3简介第55-56页
    4.2 SmNiO_3薄膜的制备及性能表征第56-59页
    4.3 BaTiO_3/SmNiO_3/LaAlO_3异质结构的制备及性能表征第59-61页
    4.4 Au/Cr/BaTiO_3/SmNiO_3/LaAlO_3器件的阻变特性测试第61-67页
        4.4.1 Au/Cr/BaTiO_3/SmNiO_3/LaAlO_3器件的直流I-V特性测试第61-62页
        4.4.2 Au/Cr/BaTiO_3/SmNiO_3/LaAlO_3器件在Pulse电压下的特性测试第62-67页
    4.5 Au/Cr/BaTiO_3/SmNiO_3/LaAlO_3器件的阻变机理分析第67-72页
    4.6 本章小结第72-73页
第五章 Au/Cr/BaTiO_3/SmNiO_3/LaAlO_3器件的突触性能测试第73-85页
    5.1 Au/Cr/BaTiO_3/SmNiO_3/LaAlO_3器件的非线性传输特性第73-77页
    5.2 Au/Cr/BaTiO_3/SmNiO_3/LaAlO_3器件的权重饱和特性第77-78页
    5.3 Au/Cr/BaTiO_3/SmNiO_3/LaAlO_3器件STDP法则的模拟第78-81页
    5.4 Au/Cr/BaTiO_3/SmNiO_3/LaAlO_3器件的抗疲劳特性第81-82页
    5.5 Au/Cr/BaTiO_3/SmNiO_3/LaAlO_3器件的能耗测试第82-84页
    5.6 本章小结第84-85页
第六章 总结与展望第85-87页
    6.1 总结第85-86页
    6.2 展望第86-87页
参考文献第87-98页
攻读硕士学位期间发表的论文第98-99页
致谢第99-100页

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